Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис VS-3C10ET12T-M3 Vishay
Category: THT Schottky diodes, Description: Diode: Schottky rectifying; SiC; THT; 1.2kV; 10A; TO220-2; Ir: 60uA, Type of diode: Schottky rectifying, Technology: SiC, Mounting: THT, Max. off-state voltage: 1.2kV, Load current: 10A, Semiconductor structure: single diode, Case: TO220-2, Max. forward voltage: 1.5V, Kind of package: tube, Leakage current: 60µA, Power dissipation: 94W.
Інші пропозиції VS-3C10ET12T-M3
| Фото | Назва | Виробник | Інформація | Доступність | Ціна без ПДВ |
|---|---|---|---|---|---|
| VS-3C10ET12T-M3 | VISHAY |
Category: THT Schottky diodes Description: Diode: Schottky rectifying; SiC; THT; 1.2kV; 10A; TO220-2; Ir: 60uA Type of diode: Schottky rectifying Technology: SiC Mounting: THT Max. off-state voltage: 1.2kV Load current: 10A Semiconductor structure: single diode Case: TO220-2 Max. forward voltage: 1.5V Kind of package: tube Leakage current: 60µA Power dissipation: 94W |
товару немає в наявності |
Мінімальне замовлення: 1000 шт В кошику од. на суму грн. |
| VS-3C10ET12T-M3 |
Виробник: VISHAY
Category: THT Schottky diodes
Description: Diode: Schottky rectifying; SiC; THT; 1.2kV; 10A; TO220-2; Ir: 60uA
Type of diode: Schottky rectifying
Technology: SiC
Mounting: THT
Max. off-state voltage: 1.2kV
Load current: 10A
Semiconductor structure: single diode
Case: TO220-2
Max. forward voltage: 1.5V
Kind of package: tube
Leakage current: 60µA
Power dissipation: 94W
Category: THT Schottky diodes
Description: Diode: Schottky rectifying; SiC; THT; 1.2kV; 10A; TO220-2; Ir: 60uA
Type of diode: Schottky rectifying
Technology: SiC
Mounting: THT
Max. off-state voltage: 1.2kV
Load current: 10A
Semiconductor structure: single diode
Case: TO220-2
Max. forward voltage: 1.5V
Kind of package: tube
Leakage current: 60µA
Power dissipation: 94W
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 1000 шт
В кошику
од. на суму грн.