Продукція > VISHAY GENERAL SEMICONDUCTOR - DIODES DIVISION > VS-3C10EV07T-M3/I
VS-3C10EV07T-M3/I

VS-3C10EV07T-M3/I Vishay General Semiconductor - Diodes Division

vs-3c10ev07t-m3.pdf Виробник: Vishay General Semiconductor - Diodes Division
Description: DIODE SIL CARB 650V 10A SLIMDPAK
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Speed: No Recovery Time > 500mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 0 ns
Technology: SiC (Silicon Carbide) Schottky
Capacitance @ Vr, F: 445pF @ 1V, 1MHz
Current - Average Rectified (Io): 10A
Supplier Device Package: SlimDPAK
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 175°C
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 650 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.5 V @ 10 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 55 µA @ 650 V
на замовлення 4392 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
2+280.55 грн
10+206.36 грн
100+156.66 грн
500+132.75 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис VS-3C10EV07T-M3/I Vishay General Semiconductor - Diodes Division

Description: DIODE SIL CARB 650V 10A SLIMDPAK, Packaging: Tape & Reel (TR), Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63, Mounting Type: Surface Mount, Speed: No Recovery Time > 500mA (Io), Reverse Recovery Time (trr): 0 ns, Technology: SiC (Silicon Carbide) Schottky, Capacitance @ Vr, F: 445pF @ 1V, 1MHz, Current - Average Rectified (Io): 10A, Supplier Device Package: SlimDPAK, Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 175°C, Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 650 V, Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.5 V @ 10 A, Current - Reverse Leakage @ Vr: 55 µA @ 650 V.

Інші пропозиції VS-3C10EV07T-M3/I за ціною від 123.25 грн до 323.75 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна
VS-3C10EV07T-M3/I VS-3C10EV07T-M3/I Виробник : Vishay Semiconductors vs-3c10ev07t-m3.pdf SiC Schottky Diodes SIC-G3-SLIMDPAK 2L
на замовлення 8434 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
2+323.75 грн
10+246.09 грн
100+173.16 грн
500+153.50 грн
1000+132.32 грн
2500+127.03 грн
4500+123.25 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
VS-3C10EV07T-M3/I VS-3C10EV07T-M3/I Виробник : Vishay General Semiconductor - Diodes Division vs-3c10ev07t-m3.pdf Description: DIODE SIL CARB 650V 10A SLIMDPAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Speed: No Recovery Time > 500mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 0 ns
Technology: SiC (Silicon Carbide) Schottky
Capacitance @ Vr, F: 445pF @ 1V, 1MHz
Current - Average Rectified (Io): 10A
Supplier Device Package: SlimDPAK
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 175°C
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 650 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.5 V @ 10 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 55 µA @ 650 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.