VS-3C10EV07T-M3/I Vishay General Semiconductor - Diodes Division
Виробник: Vishay General Semiconductor - Diodes DivisionDescription: DIODE SIL CARB 650V 10A SLIMDPAK
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Speed: No Recovery Time > 500mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 0 ns
Technology: SiC (Silicon Carbide) Schottky
Capacitance @ Vr, F: 445pF @ 1V, 1MHz
Current - Average Rectified (Io): 10A
Supplier Device Package: SlimDPAK
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 175°C
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 650 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.5 V @ 10 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 55 µA @ 650 V
на замовлення 4392 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 2+ | 288.04 грн |
| 10+ | 211.87 грн |
| 100+ | 160.84 грн |
| 500+ | 136.29 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис VS-3C10EV07T-M3/I Vishay General Semiconductor - Diodes Division
Description: DIODE SIL CARB 650V 10A SLIMDPAK, Packaging: Tape & Reel (TR), Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63, Mounting Type: Surface Mount, Speed: No Recovery Time > 500mA (Io), Reverse Recovery Time (trr): 0 ns, Technology: SiC (Silicon Carbide) Schottky, Capacitance @ Vr, F: 445pF @ 1V, 1MHz, Current - Average Rectified (Io): 10A, Supplier Device Package: SlimDPAK, Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 175°C, Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 650 V, Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.5 V @ 10 A, Current - Reverse Leakage @ Vr: 55 µA @ 650 V.
Інші пропозиції VS-3C10EV07T-M3/I за ціною від 126.54 грн до 332.40 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна | ||||||||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 |
VS-3C10EV07T-M3/I | Виробник : Vishay Semiconductors |
SiC Schottky Diodes SIC-G3-SLIMDPAK 2L |
на замовлення 8434 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
|
|
VS-3C10EV07T-M3/I | Виробник : Vishay General Semiconductor - Diodes Division |
Description: DIODE SIL CARB 650V 10A SLIMDPAK Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 Mounting Type: Surface Mount Speed: No Recovery Time > 500mA (Io) Reverse Recovery Time (trr): 0 ns Technology: SiC (Silicon Carbide) Schottky Capacitance @ Vr, F: 445pF @ 1V, 1MHz Current - Average Rectified (Io): 10A Supplier Device Package: SlimDPAK Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 175°C Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 650 V Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.5 V @ 10 A Current - Reverse Leakage @ Vr: 55 µA @ 650 V |
товару немає в наявності |