VS-3C12ED07T-M3/I Vishay
Виробник: VishayDescription: RF DIODE SCHOTTKY 650V 105W SMPD
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), Variant
Diode Type: Schottky - Single
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Capacitance @ Vr, F: 54pF @ 400V, 1MHz
Voltage - Peak Reverse (Max): 650V
Supplier Device Package: SMPD
Current - Max: 12 A
Power Dissipation (Max): 105 W
на замовлення 1989 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 2+ | 306.31 грн |
| 10+ | 223.42 грн |
| 25+ | 205.69 грн |
| 100+ | 174.69 грн |
| 250+ | 165.94 грн |
| 500+ | 160.66 грн |
| 1000+ | 153.76 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис VS-3C12ED07T-M3/I Vishay
Description: VISHAY - VS-3C12ED07T-M3/I - SiC-Schottky-Diode, eSMP Series, Einfach, 650 V, 12 A, 34 nC, SMPD, tariffCode: 85411000, Bauform - Diode: SMPD, Kapazitive Gesamtladung: 34nC, Diodenmontage: Oberflächenmontage, hazardous: false, Diodenkonfiguration: Einfach, Qualifikation: -, usEccn: EAR99, Durchschnittlicher Durchlassstrom: 12A, euEccn: NLR, Wiederkehrende Spitzensperrspannung: 650V, Anzahl der Pins: 2 Pins, Produktpalette: eSMP Series, productTraceability: No, Betriebstemperatur, max.: 175°C, SVHC: No SVHC (27-Jun-2024).
Інші пропозиції VS-3C12ED07T-M3/I за ціною від 154.39 грн до 432.55 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна | ||||||||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 |
VS-3C12ED07T-M3/I | Виробник : Vishay |
SiC Schottky Diodes SIC-G3-SMPD 2L 12A 650V |
на замовлення 1953 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
 |
VS-3C12ED07T-M3/I | Виробник : VISHAY |
Description: VISHAY - VS-3C12ED07T-M3/I - SiC-Schottky-Diode, eSMP Series, Einfach, 650 V, 12 A, 34 nC, SMPD tariffCode: 85411000 Bauform - Diode: SMPD Kapazitive Gesamtladung: 34nC Diodenmontage: Oberflächenmontage hazardous: false Diodenkonfiguration: Einfach Qualifikation: - usEccn: EAR99 Durchschnittlicher Durchlassstrom: 12A euEccn: NLR Wiederkehrende Spitzensperrspannung: 650V Anzahl der Pins: 2 Pins Produktpalette: eSMP Series productTraceability: No Betriebstemperatur, max.: 175°C SVHC: No SVHC (27-Jun-2024) |
на замовлення 15 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
|
|
VS-3C12ED07T-M3/I | Виробник : Vishay |
Description: RF DIODE SCHOTTKY 650V 105W SMPD Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), Variant Diode Type: Schottky - Single Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Capacitance @ Vr, F: 54pF @ 400V, 1MHz Voltage - Peak Reverse (Max): 650V Supplier Device Package: SMPD Current - Max: 12 A Power Dissipation (Max): 105 W |
товару немає в наявності |
|||||||||||||||||
| VS-3C12ED07T-M3\I | Виробник : Vishay | Sic-G3-SMPD 2L |
товару немає в наявності |
||||||||||||||||||
| VS-3C12ED07T-M3/I | Виробник : VISHAY |
Category: SMD Schottky diodes Description: Diode: Schottky rectifying; SMPD; SiC; SMD; 650V; 12A; reel,tape Type of diode: Schottky rectifying Case: SMPD Technology: eSMP®; SiC Mounting: SMD Max. off-state voltage: 650V Load current: 12A Semiconductor structure: single diode Max. forward voltage: 1.5V Leakage current: 0.8µA Max. forward impulse current: 83A Kind of package: reel; tape |
товару немає в наявності |