Продукція > VISHAY GENERAL SEMICONDUCTOR - DIODES DIVISION > VS-3C12ET07S2L-M3
VS-3C12ET07S2L-M3

VS-3C12ET07S2L-M3 Vishay General Semiconductor - Diodes Division

vs-3c12et07s2l-m.pdf Виробник: Vishay General Semiconductor - Diodes Division
Description: 650 V POWER SIC GEN 3 MERGED PIN
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Speed: No Recovery Time > 500mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 0 ns
Technology: SiC (Silicon Carbide) Schottky
Capacitance @ Vr, F: 535pF @ 1V, 1MHz
Current - Average Rectified (Io): 12A
Supplier Device Package: TO-263AB (D²PAK)
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 175°C
Part Status: Active
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 650 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.5 V @ 12 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 65 µA @ 650 V
на замовлення 800 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
800+322.55 грн
Мінімальне замовлення: 800
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис VS-3C12ET07S2L-M3 Vishay General Semiconductor - Diodes Division

Description: 650 V POWER SIC GEN 3 MERGED PIN, Packaging: Tape & Reel (TR), Package / Case: TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB, Mounting Type: Surface Mount, Speed: No Recovery Time > 500mA (Io), Reverse Recovery Time (trr): 0 ns, Technology: SiC (Silicon Carbide) Schottky, Capacitance @ Vr, F: 535pF @ 1V, 1MHz, Current - Average Rectified (Io): 12A, Supplier Device Package: TO-263AB (D²PAK), Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 175°C, Part Status: Active, Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 650 V, Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.5 V @ 12 A, Current - Reverse Leakage @ Vr: 65 µA @ 650 V.

Інші пропозиції VS-3C12ET07S2L-M3 за ціною від 204.66 грн до 516.58 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна
VS-3C12ET07S2L-M3 VS-3C12ET07S2L-M3 Виробник : Vishay Semiconductors vs-3c12et07s2l-m.pdf Schottky Diodes & Rectifiers SILICON CARBIDE DIODE - D2-PAK
на замовлення 1568 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
1+491.81 грн
10+407.50 грн
100+287.14 грн
250+270.34 грн
500+255.07 грн
800+218.41 грн
2400+204.66 грн
В кошику  од. на суму  грн.
VS-3C12ET07S2L-M3 VS-3C12ET07S2L-M3 Виробник : Vishay General Semiconductor - Diodes Division vs-3c12et07s2l-m.pdf Description: 650 V POWER SIC GEN 3 MERGED PIN
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Speed: No Recovery Time > 500mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 0 ns
Technology: SiC (Silicon Carbide) Schottky
Capacitance @ Vr, F: 535pF @ 1V, 1MHz
Current - Average Rectified (Io): 12A
Supplier Device Package: TO-263AB (D²PAK)
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 175°C
Part Status: Active
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 650 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.5 V @ 12 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 65 µA @ 650 V
на замовлення 1557 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
1+500.61 грн
10+432.75 грн
100+354.54 грн
В кошику  од. на суму  грн.
VS-3C12ET07S2L-M3 VS-3C12ET07S2L-M3 Виробник : VISHAY 4349301.pdf Description: VISHAY - VS-3C12ET07S2L-M3 - SiC-Schottky-Diode, Einfach, 650 V, 12 A, 34 nC, TO-263AB (D2PAK)
tariffCode: 85411000
Bauform - Diode: TO-263AB (D2PAK)
Kapazitive Gesamtladung: 34nC
rohsCompliant: Y-EX
Diodenmontage: Oberflächenmontage
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Diodenkonfiguration: Einfach
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Durchschnittlicher Durchlassstrom: 12A
euEccn: NLR
Wiederkehrende Spitzensperrspannung: 650V
Anzahl der Pins: 2 Pins
Produktpalette: -
productTraceability: No
Betriebstemperatur, max.: 175°C
SVHC: No SVHC (27-Jun-2024)
на замовлення 11 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
2+516.58 грн
10+355.52 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
VS-3C12ET07S2L-M3 Виробник : Vishay vs-3c12et07s2l-m.pdf Silicon Carbide diode - D2-PAK
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.