Продукція > VISHAY > VS-3C12ET07T-M3
VS-3C12ET07T-M3

VS-3C12ET07T-M3 VISHAY

4349302.pdf Виробник: VISHAY
Description: VISHAY - VS-3C12ET07T-M3 - SiC-Schottky-Diode, Einfach, zweifache Kathode, 650 V, 12 A, 34 nC, TO-220AC
tariffCode: 85411000
Bauform - Diode: TO-220AC
Kapazitive Gesamtladung: 34nC
rohsCompliant: Y-EX
Diodenmontage: Durchsteckmontage
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Diodenkonfiguration: Einfach, zweifache Kathode
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Durchschnittlicher Durchlassstrom: 12A
euEccn: NLR
Wiederkehrende Spitzensperrspannung: 650V
Anzahl der Pins: 2 Pins
Produktpalette: -
productTraceability: No
Betriebstemperatur, max.: 175°C
SVHC: No SVHC (27-Jun-2024)
на замовлення 11 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
3+348.27 грн
10+316.08 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис VS-3C12ET07T-M3 VISHAY

Description: VISHAY - VS-3C12ET07T-M3 - SiC-Schottky-Diode, Einfach, zweifache Kathode, 650 V, 12 A, 34 nC, TO-220AC, tariffCode: 85411000, Bauform - Diode: TO-220AC, Kapazitive Gesamtladung: 34nC, rohsCompliant: Y-EX, Diodenmontage: Durchsteckmontage, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Diodenkonfiguration: Einfach, zweifache Kathode, Qualifikation: -, usEccn: EAR99, Durchschnittlicher Durchlassstrom: 12A, euEccn: NLR, Wiederkehrende Spitzensperrspannung: 650V, Anzahl der Pins: 2 Pins, Produktpalette: -, productTraceability: No, Betriebstemperatur, max.: 175°C, SVHC: No SVHC (27-Jun-2024).

Інші пропозиції VS-3C12ET07T-M3 за ціною від 188.33 грн до 459.18 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна
VS-3C12ET07T-M3 VS-3C12ET07T-M3 Виробник : VISHAY vs-3c12et07t-m3.pdf Category: THT Schottky diodes
Description: Diode: Schottky rectifying; SiC; THT; 650V; 12A; TO220-2; tube
Type of diode: Schottky rectifying
Technology: SiC
Mounting: THT
Max. off-state voltage: 650V
Load current: 12A
Semiconductor structure: single diode
Case: TO220-2
Max. forward voltage: 1.5V
Max. forward impulse current: 83A
Kind of package: tube
на замовлення 50 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
2+411.82 грн
4+265.92 грн
10+251.36 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
VS-3C12ET07T-M3 VS-3C12ET07T-M3 Виробник : Vishay Semiconductors vs-3c12et07t-m3.pdf Schottky Diodes & Rectifiers SILICON CARBIDE DIODE - TO-220
на замовлення 1818 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
1+450.61 грн
10+373.95 грн
100+262.64 грн
250+247.92 грн
500+233.21 грн
1000+200.11 грн
3000+188.33 грн
В кошику  од. на суму  грн.
VS-3C12ET07T-M3 VS-3C12ET07T-M3 Виробник : Vishay General Semiconductor - Diodes Division vs-3c12et07t-m3.pdf Description: 650 V POWER SIC GEN 3 MERGED PIN
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-2
Mounting Type: Through Hole
Speed: No Recovery Time > 500mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 0 ns
Technology: SiC (Silicon Carbide) Schottky
Capacitance @ Vr, F: 535pF @ 1V, 1MHz
Current - Average Rectified (Io): 12A
Supplier Device Package: TO-220AC
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 175°C
Part Status: Active
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 650 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.5 V @ 12 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 65 µA @ 650 V
на замовлення 1500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
1+459.18 грн
10+396.96 грн
100+325.23 грн
500+259.82 грн
1000+227.94 грн
В кошику  од. на суму  грн.
VS-3C12ET07T-M3 Виробник : Vishay vs-3c12et07t-m3.pdf 650 V Power SiC Gen 3 Merged PIN Schottky Diode, 12 A
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.