VS-3C12ET07T-M3 Vishay Semiconductors
на замовлення 1624 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 2+ | 335.18 грн |
| 10+ | 171.77 грн |
| 100+ | 136.41 грн |
| 500+ | 131.84 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис VS-3C12ET07T-M3 Vishay Semiconductors
Description: VISHAY - VS-3C12ET07T-M3 - SiC-Schottky-Diode, Einfach, zweifache Kathode, 650 V, 12 A, 34 nC, TO-220AC, tariffCode: 85411000, Bauform - Diode: TO-220AC, Kapazitive Gesamtladung: 34nC, rohsCompliant: Y-EX, Diodenmontage: Durchsteckmontage, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Diodenkonfiguration: Einfach, zweifache Kathode, Qualifikation: -, usEccn: EAR99, Durchschnittlicher Durchlassstrom: 12A, euEccn: NLR, Anzahl der Pins: 2 Pins, Produktpalette: -, productTraceability: No, Periodische Spitzensperrspannung: 650V, Betriebstemperatur, max.: 175°C, SVHC: Lead (21-Jan-2025).
Інші пропозиції VS-3C12ET07T-M3 за ціною від 236.12 грн до 538.58 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна | ||||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 |
VS-3C12ET07T-M3 | Виробник : VISHAY |
 Description: VISHAY - VS-3C12ET07T-M3 - SiC-Schottky-Diode, Einfach, zweifache Kathode, 650 V, 12 A, 34 nC, TO-220ACtariffCode: 85411000 Bauform - Diode: TO-220AC Kapazitive Gesamtladung: 34nC rohsCompliant: Y-EX Diodenmontage: Durchsteckmontage hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Diodenkonfiguration: Einfach, zweifache Kathode Qualifikation: - usEccn: EAR99 Durchschnittlicher Durchlassstrom: 12A euEccn: NLR Anzahl der Pins: 2 Pins Produktpalette: - productTraceability: No Periodische Spitzensperrspannung: 650V Betriebstemperatur, max.: 175°C SVHC: Lead (21-Jan-2025) |
на замовлення 11 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||
 |
VS-3C12ET07T-M3 | Виробник : Vishay General Semiconductor - Diodes Division |
Description: 650 V POWER SIC GEN 3 MERGED PIN Packaging: Tube Package / Case: TO-220-2 Mounting Type: Through Hole Speed: No Recovery Time > 500mA (Io) Reverse Recovery Time (trr): 0 ns Technology: SiC (Silicon Carbide) Schottky Capacitance @ Vr, F: 535pF @ 1V, 1MHz Current - Average Rectified (Io): 12A Supplier Device Package: TO-220AC Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 175°C Part Status: Active Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 650 V Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.5 V @ 12 A Current - Reverse Leakage @ Vr: 65 µA @ 650 V |
на замовлення 1500 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||
| VS-3C12ET07T-M3 | Виробник : VISHAY |
VS-3C12ET07T-M3 THT Schottky diodes |
на замовлення 50 шт: термін постачання 14-21 дні (днів) |
|
|||||||||||||
| VS-3C12ET07T-M3 | Виробник : Vishay |
650 V Power SiC Gen 3 Merged PIN Schottky Diode, 12 A |
товару немає в наявності |