VS-3C15ET12S2L-M3 Vishay General Semiconductor - Diodes Division
Виробник: Vishay General Semiconductor - Diodes DivisionDescription: 15A 1200V SIC ZERO QRR SINGLE TJ
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Diode Type: Schottky - Single
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Capacitance @ Vr, F: 56pF @ 800V, 1MHz
Voltage - Peak Reverse (Max): 1200V
Supplier Device Package: TO-263AB (D2PAK)
Current - Max: 15 A
Power Dissipation (Max): 111 W
Mounting Type: Surface Mount
Speed: No Recovery Time > 500mA (Io)
Technology: SiC (Silicon Carbide) Schottky
Current - Average Rectified (Io): 15A
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 175°C
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 1200 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.5 V @ 15 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 75 µA @ 1200 V
на замовлення 800 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 800+ | 275.81 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис VS-3C15ET12S2L-M3 Vishay General Semiconductor - Diodes Division
Description: 15A 1200V SIC ZERO QRR SINGLE TJ, Packaging: Tape & Reel (TR), Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB, Diode Type: Schottky - Single, Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ), Capacitance @ Vr, F: 56pF @ 800V, 1MHz, Voltage - Peak Reverse (Max): 1200V, Supplier Device Package: TO-263AB (D2PAK), Current - Max: 15 A, Power Dissipation (Max): 111 W, Mounting Type: Surface Mount, Speed: No Recovery Time > 500mA (Io), Technology: SiC (Silicon Carbide) Schottky, Current - Average Rectified (Io): 15A, Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 175°C, Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 1200 V, Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.5 V @ 15 A, Current - Reverse Leakage @ Vr: 75 µA @ 1200 V.
Інші пропозиції VS-3C15ET12S2L-M3 за ціною від 226.47 грн до 577.75 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна | ||||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
|
|
VS-3C15ET12S2L-M3 | Виробник : Vishay General Semiconductor - Diodes Division |
Description: 15A 1200V SIC ZERO QRR SINGLE TJ Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB Diode Type: Schottky - Single Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Capacitance @ Vr, F: 56pF @ 800V, 1MHz Voltage - Peak Reverse (Max): 1200V Supplier Device Package: TO-263AB (D2PAK) Current - Max: 15 A Power Dissipation (Max): 111 W Mounting Type: Surface Mount Speed: No Recovery Time > 500mA (Io) Technology: SiC (Silicon Carbide) Schottky Current - Average Rectified (Io): 15A Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 175°C Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 1200 V Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.5 V @ 15 A Current - Reverse Leakage @ Vr: 75 µA @ 1200 V |
на замовлення 800 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||
 |
VS-3C15ET12S2L-M3 | Виробник : Vishay |
SiC Schottky Diodes SILICON CARBIDE DIODE - D2-PAK |
на замовлення 1502 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|