VS-3C15ET12T-M3 Vishay General Semiconductor - Diodes Division
Виробник: Vishay General Semiconductor - Diodes DivisionDescription: 15A 1200V SIC ZERO QRR SINGLE TJ
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-2
Mounting Type: Through Hole
Diode Type: Schottky - Single
Speed: No Recovery Time > 500mA (Io)
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: SiC (Silicon Carbide) Schottky
Capacitance @ Vr, F: 56pF @ 800V, 1MHz
Voltage - Peak Reverse (Max): 1200V
Current - Average Rectified (Io): 15A
Supplier Device Package: TO-220AC
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 175°C
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 1200 V
Current - Max: 15 A
Power Dissipation (Max): 111 W
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.5 V @ 15 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 75 µA @ 1200 V
на замовлення 1000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 1+ | 506.93 грн |
| 50+ | 323.21 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис VS-3C15ET12T-M3 Vishay General Semiconductor - Diodes Division
Description: 15A 1200V SIC ZERO QRR SINGLE TJ, Packaging: Tube, Package / Case: TO-220-2, Mounting Type: Through Hole, Diode Type: Schottky - Single, Speed: No Recovery Time > 500mA (Io), Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ), Technology: SiC (Silicon Carbide) Schottky, Capacitance @ Vr, F: 56pF @ 800V, 1MHz, Voltage - Peak Reverse (Max): 1200V, Current - Average Rectified (Io): 15A, Supplier Device Package: TO-220AC, Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 175°C, Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 1200 V, Current - Max: 15 A, Power Dissipation (Max): 111 W, Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.5 V @ 15 A, Current - Reverse Leakage @ Vr: 75 µA @ 1200 V.
Інші пропозиції VS-3C15ET12T-M3 за ціною від 371.41 грн до 546.73 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна | ||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 |
VS-3C15ET12T-M3 | Виробник : Vishay Semiconductors |
SiC Schottky Diodes SILICON CARBIDE DIODE - TO-220 |
на замовлення 2000 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|