VS-3C20ET07S2L-M3 Vishay Semiconductors
на замовлення 1440 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
1+ | 680.92 грн |
10+ | 574.42 грн |
100+ | 416.02 грн |
250+ | 399.19 грн |
500+ | 367.55 грн |
800+ | 343.32 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис VS-3C20ET07S2L-M3 Vishay Semiconductors
Description: 650 V POWER SIC GEN 3 MERGED PIN, Packaging: Tape & Reel (TR), Package / Case: TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB, Mounting Type: Surface Mount, Speed: No Recovery Time > 500mA (Io), Reverse Recovery Time (trr): 0 ns, Technology: SiC (Silicon Carbide) Schottky, Capacitance @ Vr, F: 845pF @ 1V, 1MHz, Current - Average Rectified (Io): 20A, Supplier Device Package: TO-263AB (D²PAK), Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 175°C, Part Status: Active, Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 650 V, Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.5 V @ 20 A, Current - Reverse Leakage @ Vr: 100 µA @ 650 V.
Інші пропозиції VS-3C20ET07S2L-M3 за ціною від 497.92 грн до 691.06 грн
Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна без ПДВ | ||||||||
---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
VS-3C20ET07S2L-M3 | Виробник : Vishay General Semiconductor - Diodes Division |
Description: 650 V POWER SIC GEN 3 MERGED PIN Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB Mounting Type: Surface Mount Speed: No Recovery Time > 500mA (Io) Reverse Recovery Time (trr): 0 ns Technology: SiC (Silicon Carbide) Schottky Capacitance @ Vr, F: 845pF @ 1V, 1MHz Current - Average Rectified (Io): 20A Supplier Device Package: TO-263AB (D²PAK) Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 175°C Part Status: Active Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 650 V Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.5 V @ 20 A Current - Reverse Leakage @ Vr: 100 µA @ 650 V |
на замовлення 663 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
|||||||||
VS-3C20ET07S2L-M3 | Виробник : VISHAY |
Category: SMD Schottky diodes Description: Diode: Schottky rectifying; SiC; SMD; 650V; 20A; D2PAK; reel,tape Type of diode: Schottky rectifying Technology: SiC Mounting: SMD Max. off-state voltage: 650V Load current: 20A Semiconductor structure: single diode Case: D2PAK Kind of package: reel; tape Max. forward impulse current: 110A Max. forward voltage: 1.5V кількість в упаковці: 1 шт |
товар відсутній |
||||||||||
VS-3C20ET07S2L-M3 | Виробник : Vishay General Semiconductor - Diodes Division |
Description: 650 V POWER SIC GEN 3 MERGED PIN Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB Mounting Type: Surface Mount Speed: No Recovery Time > 500mA (Io) Reverse Recovery Time (trr): 0 ns Technology: SiC (Silicon Carbide) Schottky Capacitance @ Vr, F: 845pF @ 1V, 1MHz Current - Average Rectified (Io): 20A Supplier Device Package: TO-263AB (D²PAK) Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 175°C Part Status: Active Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 650 V Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.5 V @ 20 A Current - Reverse Leakage @ Vr: 100 µA @ 650 V |
товар відсутній |
||||||||||
VS-3C20ET07S2L-M3 | Виробник : VISHAY |
Category: SMD Schottky diodes Description: Diode: Schottky rectifying; SiC; SMD; 650V; 20A; D2PAK; reel,tape Type of diode: Schottky rectifying Technology: SiC Mounting: SMD Max. off-state voltage: 650V Load current: 20A Semiconductor structure: single diode Case: D2PAK Kind of package: reel; tape Max. forward impulse current: 110A Max. forward voltage: 1.5V |
товар відсутній |