Продукція > VISHAY SEMICONDUCTORS > VS-3C20ET07S2L-M3
VS-3C20ET07S2L-M3

VS-3C20ET07S2L-M3 Vishay Semiconductors

vs-3c20et07s2l-m3.pdf Виробник: Vishay Semiconductors
SiC Schottky Diodes SILICON CARBIDE DIODE - D2-PAK
на замовлення 1420 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
1+742.35 грн
10+626.24 грн
100+453.56 грн
250+435.21 грн
500+400.71 грн
800+374.29 грн
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис VS-3C20ET07S2L-M3 Vishay Semiconductors

Description: 650 V POWER SIC GEN 3 MERGED PIN, Packaging: Tape & Reel (TR), Package / Case: TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB, Mounting Type: Surface Mount, Speed: No Recovery Time > 500mA (Io), Reverse Recovery Time (trr): 0 ns, Technology: SiC (Silicon Carbide) Schottky, Capacitance @ Vr, F: 845pF @ 1V, 1MHz, Current - Average Rectified (Io): 20A, Supplier Device Package: TO-263AB (D²PAK), Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 175°C, Part Status: Active, Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 650 V, Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.5 V @ 20 A, Current - Reverse Leakage @ Vr: 100 µA @ 650 V.

Інші пропозиції VS-3C20ET07S2L-M3 за ціною від 542.85 грн до 753.40 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна
VS-3C20ET07S2L-M3 VS-3C20ET07S2L-M3 Виробник : Vishay General Semiconductor - Diodes Division vs-3c20et07s2l-m3.pdf Description: 650 V POWER SIC GEN 3 MERGED PIN
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Speed: No Recovery Time > 500mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 0 ns
Technology: SiC (Silicon Carbide) Schottky
Capacitance @ Vr, F: 845pF @ 1V, 1MHz
Current - Average Rectified (Io): 20A
Supplier Device Package: TO-263AB (D²PAK)
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 175°C
Part Status: Active
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 650 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.5 V @ 20 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 100 µA @ 650 V
на замовлення 663 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
1+753.40 грн
10+655.70 грн
100+542.85 грн
В кошику  од. на суму  грн.
VS-3C20ET07S2L-M3 VS-3C20ET07S2L-M3 Виробник : Vishay General Semiconductor - Diodes Division vs-3c20et07s2l-m3.pdf Description: 650 V POWER SIC GEN 3 MERGED PIN
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Speed: No Recovery Time > 500mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 0 ns
Technology: SiC (Silicon Carbide) Schottky
Capacitance @ Vr, F: 845pF @ 1V, 1MHz
Current - Average Rectified (Io): 20A
Supplier Device Package: TO-263AB (D²PAK)
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 175°C
Part Status: Active
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 650 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.5 V @ 20 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 100 µA @ 650 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.