VS-3ECH01-M3/9AT Vishay Semiconductors
на замовлення 2300 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 8+ | 44.51 грн |
| 10+ | 37.76 грн |
| 100+ | 22.80 грн |
| 500+ | 17.79 грн |
| 1000+ | 14.52 грн |
| 2500+ | 14.06 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис VS-3ECH01-M3/9AT Vishay Semiconductors
Description: DIODE GEN PURP 100V 3A DO214AB, Packaging: Tape & Reel (TR), Package / Case: DO-214AB, SMC, Mounting Type: Surface Mount, Speed: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io), Technology: Standard, Current - Average Rectified (Io): 3A, Supplier Device Package: DO-214AB (SMC), Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 175°C, Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 100 V, Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 900 mV @ 3 A, Current - Reverse Leakage @ Vr: 2 µA @ 100 V.
Інші пропозиції VS-3ECH01-M3/9AT
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна |
|---|---|---|---|---|---|
 |
VS-3ECH01-M3/9AT | Виробник : Vishay General Semiconductor - Diodes Division |
 Description: DIODE GEN PURP 100V 3A DO214ABPackaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: DO-214AB, SMC Mounting Type: Surface Mount Speed: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io) Technology: Standard Current - Average Rectified (Io): 3A Supplier Device Package: DO-214AB (SMC) Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 175°C Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 100 V Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 900 mV @ 3 A Current - Reverse Leakage @ Vr: 2 µA @ 100 V |
товару немає в наявності |