VS-3ECH01HM3/9AT Vishay Semiconductors
| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 7+ | 47.54 грн |
| 10+ | 40.23 грн |
| 100+ | 24.34 грн |
| 500+ | 18.98 грн |
| 1000+ | 16.69 грн |
| 2500+ | 14.53 грн |
| 10500+ | 14.12 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис VS-3ECH01HM3/9AT Vishay Semiconductors
Description: DIODE GEN PURP 100V 3A DO214AB, Qualification: AEC-Q101, Current - Reverse Leakage @ Vr: 2 µA @ 100 V, Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 900 mV @ 3 A, Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 100 V, Grade: Automotive, Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 175°C, Supplier Device Package: DO-214AB (SMC), Current - Average Rectified (Io): 3A, Technology: Standard, Speed: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io), Mounting Type: Surface Mount, Package / Case: DO-214AB, SMC, Packaging: Tape & Reel (TR).
Інші пропозиції VS-3ECH01HM3/9AT
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна |
|---|---|---|---|---|---|
 |
VS-3ECH01HM3/9AT | Виробник : Vishay General Semiconductor - Diodes Division |
 Description: DIODE GEN PURP 100V 3A DO214ABQualification: AEC-Q101 Current - Reverse Leakage @ Vr: 2 µA @ 100 V Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 900 mV @ 3 A Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 100 V Grade: Automotive Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 175°C Supplier Device Package: DO-214AB (SMC) Current - Average Rectified (Io): 3A Technology: Standard Speed: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io) Mounting Type: Surface Mount Package / Case: DO-214AB, SMC Packaging: Tape & Reel (TR) |
товару немає в наявності |