
VS-3ECH02-M3/9AT Vishay Semiconductors
на замовлення 2687 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість | Ціна |
---|---|
8+ | 42.98 грн |
10+ | 36.46 грн |
100+ | 22.02 грн |
500+ | 17.17 грн |
1000+ | 14.02 грн |
2500+ | 13.58 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис VS-3ECH02-M3/9AT Vishay Semiconductors
Description: DIODE GEN PURP 200V 3A DO214AB, Packaging: Tape & Reel (TR), Package / Case: DO-214AB, SMC, Mounting Type: Surface Mount, Speed: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io), Technology: Standard, Current - Average Rectified (Io): 3A, Supplier Device Package: DO-214AB (SMC), Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 175°C, Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 200 V, Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 900 mV @ 3 A, Current - Reverse Leakage @ Vr: 2 µA @ 200 V.
Інші пропозиції VS-3ECH02-M3/9AT
Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна |
---|---|---|---|---|---|
![]() |
VS-3ECH02-M3/9AT | Виробник : Vishay |
![]() |
товару немає в наявності |
|
![]() |
VS-3ECH02-M3/9AT | Виробник : Vishay General Semiconductor - Diodes Division |
![]() Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: DO-214AB, SMC Mounting Type: Surface Mount Speed: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io) Technology: Standard Current - Average Rectified (Io): 3A Supplier Device Package: DO-214AB (SMC) Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 175°C Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 200 V Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 900 mV @ 3 A Current - Reverse Leakage @ Vr: 2 µA @ 200 V |
товару немає в наявності |