Продукція > VISHAY GENERAL SEMICONDUCTOR - DIODES DIVISION > VS-4C06ET07T-M3
VS-4C06ET07T-M3

VS-4C06ET07T-M3 Vishay General Semiconductor - Diodes Division

vs-4c06et07t-m3.pdf
Виробник: Vishay General Semiconductor - Diodes Division
Description: RECTIFIER, SILICON CARBIDE, 650V
на замовлення 998 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
2+193.83 грн
10+120.37 грн
50+91.76 грн
100+77.43 грн
500+62.23 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис VS-4C06ET07T-M3 Vishay General Semiconductor - Diodes Division

SiC Schottky Diodes Rectifier, Silicon Carbide, 650V, 6A, Gen 4, single, TO-220AC 2L.

Інші пропозиції VS-4C06ET07T-M3

Фото Назва Виробник Інформація Доступність Ціна без ПДВ
VS-4C06ET07T-M3 VS-4C06ET07T-M3 Vishay vs-4c06et07t-m3.pdf SiC Schottky Diodes Rectifier, Silicon Carbide, 650V, 6A, Gen 4, single, TO-220AC 2L
на замовлення 897 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
VS-4C06ET07T-M3 vs-4c06et07t-m3.pdf
VS-4C06ET07T-M3
Виробник: Vishay
SiC Schottky Diodes Rectifier, Silicon Carbide, 650V, 6A, Gen 4, single, TO-220AC 2L
на замовлення 897 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.