VS-4C06ET07THM3 Vishay General Semiconductor - Diodes Division
Виробник: Vishay General Semiconductor - Diodes Division
Description: RECTIFIER, SILICON CARBIDE, 650V
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 2+ | 214.41 грн |
| 10+ | 133.63 грн |
| 50+ | 102.24 грн |
| 100+ | 86.45 грн |
| 500+ | 69.79 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис VS-4C06ET07THM3 Vishay General Semiconductor - Diodes Division
SiC Schottky Diodes Rectifier, Silicon Carbide, 650V, 6A, Gen 4, single, TO-220AC 2L, auto-grade.
Інші пропозиції VS-4C06ET07THM3
| Фото | Назва | Виробник | Інформація | Доступність | Ціна без ПДВ |
|---|---|---|---|---|---|
 |
VS-4C06ET07THM3 | Vishay |
SiC Schottky Diodes Rectifier, Silicon Carbide, 650V, 6A, Gen 4, single, TO-220AC 2L, auto-grade |
на замовлення 1000 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
В кошику од. на суму грн. |
| VS-4C06ET07THM3 |
|
Виробник: Vishay
SiC Schottky Diodes Rectifier, Silicon Carbide, 650V, 6A, Gen 4, single, TO-220AC 2L, auto-grade
SiC Schottky Diodes Rectifier, Silicon Carbide, 650V, 6A, Gen 4, single, TO-220AC 2L, auto-grade
на замовлення 1000 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)