VS-4C06ET07THM3 Vishay General Semiconductor - Diodes Division
Виробник: Vishay General Semiconductor - Diodes Division
Description: RECTIFIER, SILICON CARBIDE, 650V
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 2+ | 208.10 грн |
| 10+ | 129.70 грн |
| 50+ | 99.24 грн |
| 100+ | 83.91 грн |
| 500+ | 67.73 грн |
Товар під замовлення
Немає на нашому складі — привозимо зі складу постачальника після оформлення замовлення.
термін постачання:
21-31 дні (днів)
Мінімальна партія:
2 шт
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис VS-4C06ET07THM3 Vishay General Semiconductor - Diodes Division
SiC Schottky Diodes Rectifier, Silicon Carbide, 650V, 6A, Gen 4, single, TO-220AC 2L, auto-grade.
Інші пропозиції VS-4C06ET07THM3
| Фото | Назва | Виробник | Інформація | Доступність | Ціна без ПДВ |
|---|---|---|---|---|---|
 |
VS-4C06ET07THM3 | Vishay |
SiC Schottky Diodes Rectifier, Silicon Carbide, 650V, 6A, Gen 4, single, TO-220AC 2L, auto-grade |
на замовлення 1000 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
В кошику од. на суму грн. |
| VS-4C06ET07THM3 |
|
Виробник: Vishay
SiC Schottky Diodes Rectifier, Silicon Carbide, 650V, 6A, Gen 4, single, TO-220AC 2L, auto-grade
SiC Schottky Diodes Rectifier, Silicon Carbide, 650V, 6A, Gen 4, single, TO-220AC 2L, auto-grade
на замовлення 1000 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)