VS-4ESH01-M3/86A Vishay General Semiconductor - Diodes Division
Виробник: Vishay General Semiconductor - Diodes DivisionDescription: DIODE GEN PURP 100V 4A TO277A
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-277, 3-PowerDFN
Mounting Type: Surface Mount
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 20 ns
Technology: Standard
Current - Average Rectified (Io): 4A
Supplier Device Package: TO-277A (SMPC)
Operating Temperature - Junction: -65°C ~ 175°C
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 100 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 930 mV @ 4 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 2 µA @ 100 V
на замовлення 12000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 1500+ | 15.99 грн |
| 3000+ | 13.76 грн |
| 7500+ | 13.06 грн |
| 10500+ | 11.38 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис VS-4ESH01-M3/86A Vishay General Semiconductor - Diodes Division
Description: DIODE GEN PURP 100V 4A TO277A, Packaging: Tape & Reel (TR), Package / Case: TO-277, 3-PowerDFN, Mounting Type: Surface Mount, Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io), Reverse Recovery Time (trr): 20 ns, Technology: Standard, Current - Average Rectified (Io): 4A, Supplier Device Package: TO-277A (SMPC), Operating Temperature - Junction: -65°C ~ 175°C, Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 100 V, Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 930 mV @ 4 A, Current - Reverse Leakage @ Vr: 2 µA @ 100 V.
Інші пропозиції VS-4ESH01-M3/86A за ціною від 12.99 грн до 43.15 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна | ||||||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
|
|
VS-4ESH01-M3/86A | Виробник : Vishay General Semiconductor - Diodes Division |
Description: DIODE GEN PURP 100V 4A TO277A Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: TO-277, 3-PowerDFN Mounting Type: Surface Mount Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) Reverse Recovery Time (trr): 20 ns Technology: Standard Current - Average Rectified (Io): 4A Supplier Device Package: TO-277A (SMPC) Operating Temperature - Junction: -65°C ~ 175°C Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 100 V Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 930 mV @ 4 A Current - Reverse Leakage @ Vr: 2 µA @ 100 V |
на замовлення 14524 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||
 |
VS-4ESH01-M3/86A | Виробник : Vishay Semiconductors |
Rectifiers Hypfst Rct 4A 100V |
на замовлення 2845 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|