VS-4ESH01-M3/86A Vishay General Semiconductor - Diodes Division
Виробник: Vishay General Semiconductor - Diodes Division
Description: DIODE STANDARD 100V 4A TO277A
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-277, 3-PowerDFN
Mounting Type: Surface Mount
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 20 ns
Technology: Standard
Current - Average Rectified (Io): 4A
Supplier Device Package: TO-277A (SMPC)
Operating Temperature - Junction: -65°C ~ 175°C
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 100 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 930 mV @ 4 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 2 µA @ 100 V
| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 1500+ | 21.76 грн |
| 3000+ | 19.21 грн |
| 4500+ | 18.32 грн |
| 7500+ | 16.25 грн |
| 10500+ | 15.70 грн |
| 15000+ | 15.16 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис VS-4ESH01-M3/86A Vishay General Semiconductor - Diodes Division
Description: DIODE STANDARD 100V 4A TO277A, Packaging: Tape & Reel (TR), Package / Case: TO-277, 3-PowerDFN, Mounting Type: Surface Mount, Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io), Reverse Recovery Time (trr): 20 ns, Technology: Standard, Current - Average Rectified (Io): 4A, Supplier Device Package: TO-277A (SMPC), Operating Temperature - Junction: -65°C ~ 175°C, Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 100 V, Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 930 mV @ 4 A, Current - Reverse Leakage @ Vr: 2 µA @ 100 V.
Інші пропозиції VS-4ESH01-M3/86A за ціною від 16.13 грн до 90.43 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація | Доступність | Ціна |
||||||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
|
|
VS-4ESH01-M3/86A | Vishay General Semiconductor - Diodes Division |
Description: DIODE STANDARD 100V 4A TO277A Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: TO-277, 3-PowerDFN Mounting Type: Surface Mount Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) Reverse Recovery Time (trr): 20 ns Technology: Standard Current - Average Rectified (Io): 4A Supplier Device Package: TO-277A (SMPC) Operating Temperature - Junction: -65°C ~ 175°C Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 100 V Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 930 mV @ 4 A Current - Reverse Leakage @ Vr: 2 µA @ 100 V |
на замовлення 29168 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||
 |
VS-4ESH01-M3/86A | Vishay Semiconductors |
Rectifiers Hypfst Rct 4A 100V |
на замовлення 2033 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
| VS-4ESH01-M3/86A |
|
Виробник: Vishay General Semiconductor - Diodes Division
Description: DIODE STANDARD 100V 4A TO277A
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-277, 3-PowerDFN
Mounting Type: Surface Mount
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 20 ns
Technology: Standard
Current - Average Rectified (Io): 4A
Supplier Device Package: TO-277A (SMPC)
Operating Temperature - Junction: -65°C ~ 175°C
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 100 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 930 mV @ 4 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 2 µA @ 100 V
Description: DIODE STANDARD 100V 4A TO277A
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-277, 3-PowerDFN
Mounting Type: Surface Mount
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 20 ns
Technology: Standard
Current - Average Rectified (Io): 4A
Supplier Device Package: TO-277A (SMPC)
Operating Temperature - Junction: -65°C ~ 175°C
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 100 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 930 mV @ 4 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 2 µA @ 100 V
на замовлення 29168 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 4+ | 80.13 грн |
| 10+ | 48.19 грн |
| 100+ | 31.56 грн |
| 500+ | 22.92 грн |
| VS-4ESH01-M3/86A |
|
Виробник: Vishay Semiconductors
Rectifiers Hypfst Rct 4A 100V
Rectifiers Hypfst Rct 4A 100V
на замовлення 2033 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 4+ | 90.43 грн |
| 10+ | 51.71 грн |
| 100+ | 29.47 грн |
| 500+ | 22.83 грн |
| 1000+ | 19.55 грн |
| 1500+ | 17.88 грн |
| 3000+ | 16.13 грн |