VS-4ESH01-M3/87A Vishay General Semiconductor - Diodes Division
Виробник: Vishay General Semiconductor - Diodes Division
Description: DIODE STANDARD 100V 4A TO277A
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-277, 3-PowerDFN
Mounting Type: Surface Mount
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 25 ns
Technology: Standard
Current - Average Rectified (Io): 4A
Supplier Device Package: TO-277A (SMPC)
Operating Temperature - Junction: -65°C ~ 175°C
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 100 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 930 mV @ 4 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 2 µA @ 4 V
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 4+ | 79.77 грн |
| 10+ | 47.97 грн |
| 100+ | 31.42 грн |
| 500+ | 22.82 грн |
| 1000+ | 20.68 грн |
| 2000+ | 18.87 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис VS-4ESH01-M3/87A Vishay General Semiconductor - Diodes Division
Description: DIODE STANDARD 100V 4A TO277A, Packaging: Tape & Reel (TR), Package / Case: TO-277, 3-PowerDFN, Mounting Type: Surface Mount, Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io), Reverse Recovery Time (trr): 25 ns, Technology: Standard, Current - Average Rectified (Io): 4A, Supplier Device Package: TO-277A (SMPC), Operating Temperature - Junction: -65°C ~ 175°C, Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 100 V, Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 930 mV @ 4 A, Current - Reverse Leakage @ Vr: 2 µA @ 4 V.
Інші пропозиції VS-4ESH01-M3/87A
| Фото | Назва | Виробник | Інформація | Доступність | Ціна без ПДВ |
|---|---|---|---|---|---|
 |
VS-4ESH01-M3/87A | Vishay Semiconductors |
Rectifiers Hypfst Rct 4A 100V |
на замовлення 31450 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
В кошику од. на суму грн. |
| VS-4ESH01-M3/87A |
|
Виробник: Vishay Semiconductors
Rectifiers Hypfst Rct 4A 100V
Rectifiers Hypfst Rct 4A 100V
на замовлення 31450 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)