Продукція > VISHAY GENERAL SEMICONDUCTOR - DIODES DIVISION > VS-4ESH01-M3/87A
VS-4ESH01-M3/87A

VS-4ESH01-M3/87A Vishay General Semiconductor - Diodes Division

vs-4esh01-m3.pdf Виробник: Vishay General Semiconductor - Diodes Division
Description: DIODE GEN PURP 100V 4A TO277A
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-277, 3-PowerDFN
Mounting Type: Surface Mount
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 25 ns
Technology: Standard
Current - Average Rectified (Io): 4A
Supplier Device Package: TO-277A (SMPC)
Operating Temperature - Junction: -65°C ~ 175°C
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 100 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 930 mV @ 4 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 2 µA @ 4 V
на замовлення 6240 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
8+44.40 грн
10+36.10 грн
100+25.12 грн
500+18.41 грн
1000+14.96 грн
2000+13.38 грн
Мінімальне замовлення: 8
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис VS-4ESH01-M3/87A Vishay General Semiconductor - Diodes Division

Description: DIODE GEN PURP 100V 4A TO277A, Packaging: Tape & Reel (TR), Package / Case: TO-277, 3-PowerDFN, Mounting Type: Surface Mount, Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io), Reverse Recovery Time (trr): 25 ns, Technology: Standard, Current - Average Rectified (Io): 4A, Supplier Device Package: TO-277A (SMPC), Operating Temperature - Junction: -65°C ~ 175°C, Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 100 V, Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 930 mV @ 4 A, Current - Reverse Leakage @ Vr: 2 µA @ 4 V.

Інші пропозиції VS-4ESH01-M3/87A за ціною від 13.45 грн до 47.26 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна
VS-4ESH01-M3/87A VS-4ESH01-M3/87A Виробник : Vishay Semiconductors vs-4esh01-m3.pdf Rectifiers Hypfst Rct 4A 100V
на замовлення 31450 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
8+47.26 грн
11+33.21 грн
100+22.80 грн
500+17.48 грн
1000+14.29 грн
6500+13.45 грн
Мінімальне замовлення: 8
В кошику  од. на суму  грн.
VS-4ESH01-M3/87A VS-4ESH01-M3/87A Виробник : Vishay General Semiconductor - Diodes Division vs-4esh01-m3.pdf Description: DIODE GEN PURP 100V 4A TO277A
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-277, 3-PowerDFN
Mounting Type: Surface Mount
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 25 ns
Technology: Standard
Current - Average Rectified (Io): 4A
Supplier Device Package: TO-277A (SMPC)
Operating Temperature - Junction: -65°C ~ 175°C
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 100 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 930 mV @ 4 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 2 µA @ 4 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.