VS-4ESH02HM3/86A Vishay General Semiconductor - Diodes Division


vs-4esh02hm3.pdf
Виробник: Vishay General Semiconductor - Diodes Division
Description: DIODE STANDARD 200V 4A TO277A
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-277, 3-PowerDFN
Mounting Type: Surface Mount
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 20 ns
Technology: Standard
Current - Average Rectified (Io): 4A
Supplier Device Package: TO-277A (SMPC)
Operating Temperature - Junction: -65°C ~ 175°C
Grade: Automotive
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 200 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 930 mV @ 4 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 2 µA @ 200 V
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 1500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
1500+19.64 грн
Мінімальне замовлення: 1500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
Товар під замовлення
Немає на нашому складі — привозимо зі складу постачальника після оформлення замовлення.
термін постачання: 21-31 дні (днів)
Мінімальна партія: 1500 шт
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис VS-4ESH02HM3/86A Vishay General Semiconductor - Diodes Division

Description: DIODE STANDARD 200V 4A TO277A, Packaging: Tape & Reel (TR), Package / Case: TO-277, 3-PowerDFN, Mounting Type: Surface Mount, Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io), Reverse Recovery Time (trr): 20 ns, Technology: Standard, Current - Average Rectified (Io): 4A, Supplier Device Package: TO-277A (SMPC), Operating Temperature - Junction: -65°C ~ 175°C, Grade: Automotive, Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 200 V, Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 930 mV @ 4 A, Current - Reverse Leakage @ Vr: 2 µA @ 200 V, Qualification: AEC-Q101.

Інші пропозиції VS-4ESH02HM3/86A за ціною від 20.84 грн до 100.06 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність Ціна без ПДВ
VS-4ESH02HM3/86A VS-4ESH02HM3/86A Vishay General Semiconductor - Diodes Division vs-4esh02hm3.pdf Description: DIODE STANDARD 200V 4A TO277A
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-277, 3-PowerDFN
Mounting Type: Surface Mount
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 20 ns
Technology: Standard
Current - Average Rectified (Io): 4A
Supplier Device Package: TO-277A (SMPC)
Operating Temperature - Junction: -65°C ~ 175°C
Grade: Automotive
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 200 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 930 mV @ 4 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 2 µA @ 200 V
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 1920 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
6+59.51 грн
10+39.58 грн
100+31.17 грн
500+22.43 грн
Мінімальне замовлення: 6 шт
В кошику  од. на суму  грн.
VS-4ESH02HM3/86A VS-4ESH02HM3/86A Vishay Semiconductors vs-4esh02hm3.pdf Rectifiers Hypfst Rct 4A 200V AEC-Q101
на замовлення 2925 шт:
термін постачання 31-40 дні (днів)
4+100.06 грн
10+46.03 грн
100+35.59 грн
500+27.61 грн
1000+22.50 грн
1500+21.52 грн
3000+20.84 грн
Мінімальне замовлення: 4 шт
В кошику  од. на суму  грн.
VS-4ESH02HM3/86A vs-4esh02hm3.pdf
Виробник: Vishay General Semiconductor - Diodes Division
Description: DIODE STANDARD 200V 4A TO277A
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-277, 3-PowerDFN
Mounting Type: Surface Mount
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 20 ns
Technology: Standard
Current - Average Rectified (Io): 4A
Supplier Device Package: TO-277A (SMPC)
Operating Temperature - Junction: -65°C ~ 175°C
Grade: Automotive
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 200 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 930 mV @ 4 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 2 µA @ 200 V
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 1920 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
6+59.51 грн
10+39.58 грн
100+31.17 грн
500+22.43 грн
Мінімальне замовлення: 6 шт
В кошику  од. на суму  грн.
VS-4ESH02HM3/86A vs-4esh02hm3.pdf
Виробник: Vishay Semiconductors
Rectifiers Hypfst Rct 4A 200V AEC-Q101
на замовлення 2925 шт:
термін постачання 31-40 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
4+100.06 грн
10+46.03 грн
100+35.59 грн
500+27.61 грн
1000+22.50 грн
1500+21.52 грн
3000+20.84 грн
Мінімальне замовлення: 4 шт
В кошику  од. на суму  грн.