VS-5EWH06FN-M3 Vishay General Semiconductor - Diodes Division
Виробник: Vishay General Semiconductor - Diodes Division
Description: DIODE GEN PURP 600V 5A D-PAK
Packaging: Tube
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 25 ns
Technology: Standard
Current - Average Rectified (Io): 5A
Supplier Device Package: TO-252AA (DPAK)
Operating Temperature - Junction: -65°C ~ 175°C
Part Status: Active
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 600 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.85 V @ 5 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 5 µA @ 600 V
Description: DIODE GEN PURP 600V 5A D-PAK
Packaging: Tube
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 25 ns
Technology: Standard
Current - Average Rectified (Io): 5A
Supplier Device Package: TO-252AA (DPAK)
Operating Temperature - Junction: -65°C ~ 175°C
Part Status: Active
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 600 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.85 V @ 5 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 5 µA @ 600 V
на замовлення 2713 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
6+ | 56.77 грн |
75+ | 44.89 грн |
150+ | 32.58 грн |
525+ | 25.55 грн |
1050+ | 21.74 грн |
2025+ | 19.37 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис VS-5EWH06FN-M3 Vishay General Semiconductor - Diodes Division
Description: DIODE GEN PURP 600V 5A D-PAK, Packaging: Tube, Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63, Mounting Type: Surface Mount, Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io), Reverse Recovery Time (trr): 25 ns, Technology: Standard, Current - Average Rectified (Io): 5A, Supplier Device Package: TO-252AA (DPAK), Operating Temperature - Junction: -65°C ~ 175°C, Part Status: Active, Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 600 V, Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.85 V @ 5 A, Current - Reverse Leakage @ Vr: 5 µA @ 600 V.
Інші пропозиції VS-5EWH06FN-M3 за ціною від 23.05 грн до 66.54 грн
Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна без ПДВ | ||||||||||||||
---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
VS-5EWH06FN-M3 | Виробник : Vishay Semiconductors | Rectifiers 5A 600V 18ns Hyperfast |
на замовлення 391 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
|||||||||||||||
VS-5EWH06FN-M3 | Виробник : VISHAY |
Description: VISHAY - VS-5EWH06FN-M3 - Diode mit kurzer/ultrakurzer Erholzeit, 600 V, 5 A, Einfach, 1.85 V, 25 ns, 70 A tariffCode: 85411000 Bauform - Diode: TO-252AA Durchlassstoßstrom: 70A rohsCompliant: YES hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Durchlassspannung, max.: 1.85V Sperrverzögerungszeit: 25ns usEccn: EAR99 Durchschnittlicher Durchlassstrom: 5A euEccn: NLR Wiederkehrende Spitzensperrspannung: 600V productTraceability: Yes-Date/Lot Code Betriebstemperatur, max.: 175°C |
на замовлення 2214 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
|||||||||||||||
VS-5EWH06FN-M3 | Виробник : Vishay | Diode Switching 600V 5A 3-Pin(2+Tab) DPAK Tube |
товар відсутній |
||||||||||||||||
VS-5EWH06FN-M3 | Виробник : Vishay | Diode Switching 600V 5A 3-Pin(2+Tab) DPAK Tube |
товар відсутній |
||||||||||||||||
VS-5EWH06FN-M3 | Виробник : VISHAY |
Category: SMD universal diodes Description: Diode: rectifying; SMD; 600V; 5A; 35ns; DPAK; Ufmax: 1.4V; Ifsm: 70A Type of diode: rectifying Mounting: SMD Max. off-state voltage: 0.6kV Load current: 5A Max. load current: 10A Reverse recovery time: 35ns Semiconductor structure: single diode Features of semiconductor devices: ultrafast switching Capacitance: 3.5pF Case: DPAK Max. forward voltage: 1.4V Max. forward impulse current: 70A Leakage current: 0.13mA Kind of package: tube кількість в упаковці: 1 шт |
товар відсутній |
||||||||||||||||
VS-5EWH06FN-M3 | Виробник : VISHAY |
Category: SMD universal diodes Description: Diode: rectifying; SMD; 600V; 5A; 35ns; DPAK; Ufmax: 1.4V; Ifsm: 70A Type of diode: rectifying Mounting: SMD Max. off-state voltage: 0.6kV Load current: 5A Max. load current: 10A Reverse recovery time: 35ns Semiconductor structure: single diode Features of semiconductor devices: ultrafast switching Capacitance: 3.5pF Case: DPAK Max. forward voltage: 1.4V Max. forward impulse current: 70A Leakage current: 0.13mA Kind of package: tube |
товар відсутній |