VS-6ESH01HM3/87A

VS-6ESH01HM3/87A Vishay General Semiconductor - Diodes Division


vs-6esh01hm3.pdf Виробник: Vishay General Semiconductor - Diodes Division
Description: DIODE GEN PURP 100V 6A TO277A
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-277, 3-PowerDFN
Mounting Type: Surface Mount
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 22 ns
Technology: Standard
Current - Average Rectified (Io): 6A
Supplier Device Package: TO-277A (SMPC)
Operating Temperature - Junction: -65°C ~ 175°C
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 100 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 940 mV @ 6 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 2 µA @ 100 V
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 5425 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
6+57.30 грн
10+47.59 грн
100+32.92 грн
500+25.82 грн
1000+21.97 грн
2000+19.57 грн
Мінімальне замовлення: 6
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис VS-6ESH01HM3/87A Vishay General Semiconductor - Diodes Division

Description: DIODE GEN PURP 100V 6A TO277A, Packaging: Tape & Reel (TR), Package / Case: TO-277, 3-PowerDFN, Mounting Type: Surface Mount, Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io), Reverse Recovery Time (trr): 22 ns, Technology: Standard, Current - Average Rectified (Io): 6A, Supplier Device Package: TO-277A (SMPC), Operating Temperature - Junction: -65°C ~ 175°C, Grade: Automotive, Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 100 V, Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 940 mV @ 6 A, Current - Reverse Leakage @ Vr: 2 µA @ 100 V, Qualification: AEC-Q101.

Інші пропозиції VS-6ESH01HM3/87A за ціною від 19.05 грн до 75.02 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна
VS-6ESH01HM3/87A VS-6ESH01HM3/87A Виробник : Vishay Semiconductors vs-6esh01hm3.pdf Rectifiers Hypfst Rct 6A 100V AEC-Q101
на замовлення 3738 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
5+75.02 грн
10+49.41 грн
100+29.72 грн
500+24.06 грн
1000+20.30 грн
6500+19.05 грн
Мінімальне замовлення: 5
В кошику  од. на суму  грн.
VS-6ESH01HM3/87A VS-6ESH01HM3/87A Виробник : Vishay General Semiconductor - Diodes Division vs-6esh01hm3.pdf Description: DIODE GEN PURP 100V 6A TO277A
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-277, 3-PowerDFN
Mounting Type: Surface Mount
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 22 ns
Technology: Standard
Current - Average Rectified (Io): 6A
Supplier Device Package: TO-277A (SMPC)
Operating Temperature - Junction: -65°C ~ 175°C
Grade: Automotive
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 100 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 940 mV @ 6 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 2 µA @ 100 V
Qualification: AEC-Q101
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.