на замовлення 355 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 1+ | 554.99 грн |
| 10+ | 363.80 грн |
| 100+ | 256.09 грн |
| 500+ | 226.75 грн |
| 1000+ | 202.18 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис VS-80EBU04HN4 Vishay Semiconductors
Description: DIODE GEN PURP 400V 80A POWERTAB, Packaging: Tube, Package / Case: PowerTab®, Mounting Type: Through Hole, Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io), Reverse Recovery Time (trr): 87 ns, Technology: Standard, Current - Average Rectified (Io): 80A, Supplier Device Package: PowerTab®, Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 175°C, Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 400 V, Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.3 V @ 80 A, Current - Reverse Leakage @ Vr: 50 µA @ 400 V.
Інші пропозиції VS-80EBU04HN4
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна |
|---|---|---|---|---|---|
 |
VS-80EBU04HN4 | Виробник : Vishay General Semiconductor - Diodes Division |
 Description: DIODE GEN PURP 400V 80A POWERTABPackaging: Tube Package / Case: PowerTab® Mounting Type: Through Hole Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) Reverse Recovery Time (trr): 87 ns Technology: Standard Current - Average Rectified (Io): 80A Supplier Device Package: PowerTab® Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 175°C Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 400 V Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.3 V @ 80 A Current - Reverse Leakage @ Vr: 50 µA @ 400 V |
товару немає в наявності |