VS-8DKH02-M3/I Vishay Semiconductors
на замовлення 5979 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис VS-8DKH02-M3/I Vishay Semiconductors
Description: DIODE ARRAY GP 200V 4A FLATPAK, Packaging: Tape & Reel (TR), Package / Case: 8-PowerTDFN, Mounting Type: Surface Mount, Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io), Reverse Recovery Time (trr): 25 ns, Technology: Standard, Diode Configuration: 2 Independent, Current - Average Rectified (Io) (per Diode): 4A, Supplier Device Package: FlatPAK 5x6 (Dual), Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 175°C, Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 200 V, Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 960 mV @ 4 A, Current - Reverse Leakage @ Vr: 2 µA @ 200 V.
Інші пропозиції VS-8DKH02-M3/I
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна |
|---|---|---|---|---|---|
 |
VS-8DKH02-M3/I | Виробник : Vishay General Semiconductor - Diodes Division |
 Description: DIODE ARRAY GP 200V 4A FLATPAKPackaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: 8-PowerTDFN Mounting Type: Surface Mount Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) Reverse Recovery Time (trr): 25 ns Technology: Standard Diode Configuration: 2 Independent Current - Average Rectified (Io) (per Diode): 4A Supplier Device Package: FlatPAK 5x6 (Dual) Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 175°C Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 200 V Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 960 mV @ 4 A Current - Reverse Leakage @ Vr: 2 µA @ 200 V |
товару немає в наявності |