
VS-8ETL06-N3 Vishay General Semiconductor - Diodes Division

Description: DIODE GEN PURP 600V 8A TO220AC
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-2
Mounting Type: Through Hole
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 170 ns
Technology: Standard
Current - Average Rectified (Io): 8A
Supplier Device Package: TO-220AC
Operating Temperature - Junction: -65°C ~ 175°C
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 600 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.05 V @ 8 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 5 µA @ 600 V
товару немає в наявності
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис VS-8ETL06-N3 Vishay General Semiconductor - Diodes Division
Description: DIODE GEN PURP 600V 8A TO220AC, Packaging: Tube, Package / Case: TO-220-2, Mounting Type: Through Hole, Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io), Reverse Recovery Time (trr): 170 ns, Technology: Standard, Current - Average Rectified (Io): 8A, Supplier Device Package: TO-220AC, Operating Temperature - Junction: -65°C ~ 175°C, Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 600 V, Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.05 V @ 8 A, Current - Reverse Leakage @ Vr: 5 µA @ 600 V.
Інші пропозиції VS-8ETL06-N3
Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна |
---|---|---|---|---|---|
VS-8ETL06-N3 | Виробник : Vishay Semiconductors |
![]() |
товару немає в наявності |