VS-8ETL06STRL-M3 Vishay Semiconductors
на замовлення 645 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 5+ | 83.65 грн |
| 10+ | 67.01 грн |
| 100+ | 46.46 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис VS-8ETL06STRL-M3 Vishay Semiconductors
Description: DIODE GEN PURP 600V 8A TO263AB, Packaging: Tape & Reel (TR), Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB, Mounting Type: Surface Mount, Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io), Reverse Recovery Time (trr): 250 ns, Technology: Standard, Current - Average Rectified (Io): 8A, Supplier Device Package: TO-263AB (D2PAK), Operating Temperature - Junction: -65°C ~ 175°C, Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 600 V, Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.05 V @ 8 A, Current - Reverse Leakage @ Vr: 5 µA @ 600 V.
Інші пропозиції VS-8ETL06STRL-M3
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна |
|---|---|---|---|---|---|
 |
VS-8ETL06STRL-M3 | Виробник : Vishay |
 Diode Switching 600V 8A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R |
товару немає в наявності |
|
 |
VS-8ETL06STRL-M3 | Виробник : Vishay General Semiconductor - Diodes Division |
Description: DIODE GEN PURP 600V 8A TO263AB Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB Mounting Type: Surface Mount Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) Reverse Recovery Time (trr): 250 ns Technology: Standard Current - Average Rectified (Io): 8A Supplier Device Package: TO-263AB (D2PAK) Operating Temperature - Junction: -65°C ~ 175°C Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 600 V Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.05 V @ 8 A Current - Reverse Leakage @ Vr: 5 µA @ 600 V |
товару немає в наявності |