
VS-8EWF02S-M3 Vishay General Semiconductor - Diodes Division

Description: DIODE STANDARD 200V 8A TO252AA
Packaging: Tube
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 55 ns
Technology: Standard
Current - Average Rectified (Io): 8A
Supplier Device Package: TO-252AA (DPAK)
Operating Temperature - Junction: -40°C ~ 150°C
Part Status: Active
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 200 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.2 V @ 8 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 100 µA @ 200 V
на замовлення 798 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість | Ціна |
---|---|
2+ | 260.23 грн |
75+ | 117.24 грн |
150+ | 116.92 грн |
525+ | 105.44 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис VS-8EWF02S-M3 Vishay General Semiconductor - Diodes Division
Description: DIODE STANDARD 200V 8A TO252AA, Packaging: Tube, Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63, Mounting Type: Surface Mount, Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io), Reverse Recovery Time (trr): 55 ns, Technology: Standard, Current - Average Rectified (Io): 8A, Supplier Device Package: TO-252AA (DPAK), Operating Temperature - Junction: -40°C ~ 150°C, Part Status: Active, Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 200 V, Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.2 V @ 8 A, Current - Reverse Leakage @ Vr: 100 µA @ 200 V.
Інші пропозиції VS-8EWF02S-M3 за ціною від 111.09 грн до 300.40 грн
Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна | ||||||||||||||||
---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
![]() |
VS-8EWF02S-M3 | Виробник : Vishay Semiconductors |
![]() |
на замовлення 5340 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
![]() |
VS-8EWF02S-M3 | Виробник : Vishay |
![]() |
товару немає в наявності |
|||||||||||||||||
VS-8EWF02S-M3 | Виробник : VISHAY |
![]() Description: Diode: rectifying; SMD; 200V; 8A; 200ns; DPAK; Ufmax: 1.2V; Ifsm: 150A Type of diode: rectifying Mounting: SMD Max. off-state voltage: 200V Load current: 8A Semiconductor structure: single diode Features of semiconductor devices: fast switching; glass passivated Case: DPAK Kind of package: tube Quantity in set/package: 75pcs. Leakage current: 3mA Reverse recovery time: 200ns Max. forward voltage: 1.2V Max. forward impulse current: 150A |
товару немає в наявності |