Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис VS-8EWF12S-M3 Vishay
Description: DIODE STANDARD 1200V 8A TO252AA, Packaging: Tube, Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63, Mounting Type: Surface Mount, Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io), Reverse Recovery Time (trr): 270 ns, Technology: Standard, Current - Average Rectified (Io): 8A, Supplier Device Package: TO-252AA (DPAK), Operating Temperature - Junction: -40°C ~ 150°C, Part Status: Active, Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 1200 V, Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.3 V @ 8 A, Current - Reverse Leakage @ Vr: 100 µA @ 1200 V.
Інші пропозиції VS-8EWF12S-M3 за ціною від 87.03 грн до 304.22 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація | Доступність | Ціна без ПДВ | ||||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
|
|
VS-8EWF12S-M3 | Vishay |
 Diode Switching Si 1.2KV 8A 3-Pin(2+Tab) DPAK Tube |
на замовлення 2625 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||
 |
VS-8EWF12S-M3 | VISHAY |
Category: SMD universal diodes Description: Diode: rectifying; SMD; 1.2kV; 8A; 270ns; DPAK; Ufmax: 1.3V; Ir: 4mA Type of diode: rectifying Mounting: SMD Max. off-state voltage: 1.2kV Load current: 8A Reverse recovery time: 270ns Semiconductor structure: single diode Features of semiconductor devices: fast switching; glass passivated Case: DPAK Max. forward voltage: 1.3V Max. forward impulse current: 150A Leakage current: 4mA Kind of package: tube Quantity in set/package: 75pcs. |
на замовлення 972 шт: термін постачання 14-30 дні (днів) |
|
||||||||||||
|
|
VS-8EWF12S-M3 | Vishay |
Diode Switching Si 1.2KV 8A 3-Pin(2+Tab) DPAK Tube |
на замовлення 975 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||
 |
VS-8EWF12S-M3 | Vishay General Semiconductor - Diodes Division |
Description: DIODE STANDARD 1200V 8A TO252AA Packaging: Tube Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 Mounting Type: Surface Mount Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) Reverse Recovery Time (trr): 270 ns Technology: Standard Current - Average Rectified (Io): 8A Supplier Device Package: TO-252AA (DPAK) Operating Temperature - Junction: -40°C ~ 150°C Part Status: Active Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 1200 V Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.3 V @ 8 A Current - Reverse Leakage @ Vr: 100 µA @ 1200 V |
на замовлення 3450 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||
 |
VS-8EWF12S-M3 | Vishay Semiconductors |
Rectifiers 8A 1200V Single Die |
на замовлення 2239 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
В кошику од. на суму грн. |
| VS-8EWF12S-M3 |
|
Виробник: Vishay
Diode Switching Si 1.2KV 8A 3-Pin(2+Tab) DPAK Tube
Diode Switching Si 1.2KV 8A 3-Pin(2+Tab) DPAK Tube
на замовлення 2625 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 2625+ | 92.02 грн |
| VS-8EWF12S-M3 |
|
Виробник: VISHAY
Category: SMD universal diodes
Description: Diode: rectifying; SMD; 1.2kV; 8A; 270ns; DPAK; Ufmax: 1.3V; Ir: 4mA
Type of diode: rectifying
Mounting: SMD
Max. off-state voltage: 1.2kV
Load current: 8A
Reverse recovery time: 270ns
Semiconductor structure: single diode
Features of semiconductor devices: fast switching; glass passivated
Case: DPAK
Max. forward voltage: 1.3V
Max. forward impulse current: 150A
Leakage current: 4mA
Kind of package: tube
Quantity in set/package: 75pcs.
Category: SMD universal diodes
Description: Diode: rectifying; SMD; 1.2kV; 8A; 270ns; DPAK; Ufmax: 1.3V; Ir: 4mA
Type of diode: rectifying
Mounting: SMD
Max. off-state voltage: 1.2kV
Load current: 8A
Reverse recovery time: 270ns
Semiconductor structure: single diode
Features of semiconductor devices: fast switching; glass passivated
Case: DPAK
Max. forward voltage: 1.3V
Max. forward impulse current: 150A
Leakage current: 4mA
Kind of package: tube
Quantity in set/package: 75pcs.
на замовлення 972 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 3+ | 196.45 грн |
| 10+ | 157.31 грн |
| 75+ | 89.54 грн |
| 150+ | 87.03 грн |
| VS-8EWF12S-M3 |
|
Виробник: Vishay
Diode Switching Si 1.2KV 8A 3-Pin(2+Tab) DPAK Tube
Diode Switching Si 1.2KV 8A 3-Pin(2+Tab) DPAK Tube
на замовлення 975 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 49+ | 289.77 грн |
| 86+ | 164.64 грн |
| 150+ | 159.37 грн |
| VS-8EWF12S-M3 |
|
Виробник: Vishay General Semiconductor - Diodes Division
Description: DIODE STANDARD 1200V 8A TO252AA
Packaging: Tube
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 270 ns
Technology: Standard
Current - Average Rectified (Io): 8A
Supplier Device Package: TO-252AA (DPAK)
Operating Temperature - Junction: -40°C ~ 150°C
Part Status: Active
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 1200 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.3 V @ 8 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 100 µA @ 1200 V
Description: DIODE STANDARD 1200V 8A TO252AA
Packaging: Tube
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 270 ns
Technology: Standard
Current - Average Rectified (Io): 8A
Supplier Device Package: TO-252AA (DPAK)
Operating Temperature - Junction: -40°C ~ 150°C
Part Status: Active
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 1200 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.3 V @ 8 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 100 µA @ 1200 V
на замовлення 3450 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 2+ | 304.22 грн |
| 75+ | 141.53 грн |
| 150+ | 129.00 грн |
| 525+ | 104.34 грн |
| 1050+ | 97.11 грн |
| 2025+ | 91.32 грн |
| VS-8EWF12S-M3 |
|
Виробник: Vishay Semiconductors
Rectifiers 8A 1200V Single Die
Rectifiers 8A 1200V Single Die
на замовлення 2239 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)