Продукція > VISHAY GENERAL SEMICONDUCTOR - DIODES DIVISION > VS-8EWF12STR-M3
VS-8EWF12STR-M3

VS-8EWF12STR-M3 Vishay General Semiconductor - Diodes Division

vs-8ewf12sm.pdf Виробник: Vishay General Semiconductor - Diodes Division
Description: DIODE STANDARD 1200V 8A TO252AA
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 270 ns
Technology: Standard
Current - Average Rectified (Io): 8A
Supplier Device Package: TO-252AA (DPAK)
Operating Temperature - Junction: -40°C ~ 150°C
Part Status: Active
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 1200 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.3 V @ 8 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 100 µA @ 1200 V
на замовлення 2000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
2000+111.09 грн
Мінімальне замовлення: 2000
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис VS-8EWF12STR-M3 Vishay General Semiconductor - Diodes Division

Description: DIODE STANDARD 1200V 8A TO252AA, Packaging: Tape & Reel (TR), Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63, Mounting Type: Surface Mount, Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io), Reverse Recovery Time (trr): 270 ns, Technology: Standard, Current - Average Rectified (Io): 8A, Supplier Device Package: TO-252AA (DPAK), Operating Temperature - Junction: -40°C ~ 150°C, Part Status: Active, Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 1200 V, Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.3 V @ 8 A, Current - Reverse Leakage @ Vr: 100 µA @ 1200 V.

Інші пропозиції VS-8EWF12STR-M3 за ціною від 108.62 грн до 311.72 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна
VS-8EWF12STR-M3 VS-8EWF12STR-M3 Виробник : Vishay General Semiconductor - Diodes Division vs-8ewf12sm.pdf Description: DIODE STANDARD 1200V 8A TO252AA
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 270 ns
Technology: Standard
Current - Average Rectified (Io): 8A
Supplier Device Package: TO-252AA (DPAK)
Operating Temperature - Junction: -40°C ~ 150°C
Part Status: Active
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 1200 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.3 V @ 8 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 100 µA @ 1200 V
на замовлення 5333 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
2+284.74 грн
10+177.90 грн
100+142.70 грн
500+122.88 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
VS-8EWF12STR-M3 VS-8EWF12STR-M3 Виробник : Vishay Semiconductors vs-8ewf12sm.pdf Schottky Diodes & Rectifiers New Input Diodes - D-PAK-e3
на замовлення 1207 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
2+311.72 грн
10+198.77 грн
100+138.75 грн
500+127.65 грн
1000+126.86 грн
2000+108.62 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
VS-8EWF12STR-M3 VS-8EWF12STR-M3 Виробник : Vishay vs-8ewf12sm.pdf Rectifier Diode Switching Si 1.2KV 8A 270ns 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
VS-8EWF12STR-M3 VS-8EWF12STR-M3 Виробник : Vishay vs-8ewf12sm.pdf Rectifier Diode Switching Si 1.2KV 8A 270ns 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
VS-8EWF12STR-M3 Виробник : VISHAY vs-8ewf12sm.pdf Category: SMD universal diodes
Description: Diode: rectifying; SMD; 1.2kV; 8A; 270ns; DPAK; Ufmax: 1.3V; 2000pcs.
Type of diode: rectifying
Mounting: SMD
Max. off-state voltage: 1.2kV
Load current: 8A
Reverse recovery time: 270ns
Semiconductor structure: single diode
Features of semiconductor devices: fast switching; glass passivated
Case: DPAK
Kind of package: 13 inch reel
Quantity in set/package: 2000pcs.
Max. forward voltage: 1.3V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.