VS-8EWF12STRL-M3 Vishay Semiconductors
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 2+ | 260.29 грн |
| 10+ | 216.06 грн |
| 100+ | 151.92 грн |
| 250+ | 143.11 грн |
| 500+ | 135.04 грн |
| 1000+ | 119.63 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис VS-8EWF12STRL-M3 Vishay Semiconductors
Description: DIODE GEN PURP 1.2KV 8A D-PAK, Packaging: Tape & Reel (TR), Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63, Mounting Type: Surface Mount, Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io), Reverse Recovery Time (trr): 270 ns, Technology: Standard, Current - Average Rectified (Io): 8A, Supplier Device Package: TO-252AA (DPAK), Operating Temperature - Junction: -40°C ~ 150°C, Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 1200 V, Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.3 V @ 8 A, Current - Reverse Leakage @ Vr: 100 µA @ 1200 V.
Інші пропозиції VS-8EWF12STRL-M3
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна |
|---|---|---|---|---|---|
 |
VS-8EWF12STRL-M3 | Виробник : Vishay |
 Diode Switching Si 1.2KV 8A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R |
товару немає в наявності |
|
 |
VS-8EWF12STRL-M3 | Виробник : Vishay |
Diode Switching Si 1.2KV 8A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R |
товару немає в наявності |
|
 |
VS-8EWF12STRL-M3 | Виробник : Vishay General Semiconductor - Diodes Division |
Description: DIODE GEN PURP 1.2KV 8A D-PAK Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 Mounting Type: Surface Mount Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) Reverse Recovery Time (trr): 270 ns Technology: Standard Current - Average Rectified (Io): 8A Supplier Device Package: TO-252AA (DPAK) Operating Temperature - Junction: -40°C ~ 150°C Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 1200 V Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.3 V @ 8 A Current - Reverse Leakage @ Vr: 100 µA @ 1200 V |
товару немає в наявності |