на замовлення 6000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 2000+ | 33.65 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис VS-8EWS08STR-M3 Vishay
Description: VISHAY - VS-8EWS08STR-M3 - Diode mit Standard-Erholzeit, 800 V, 8 A, Einfach, 1.1 V, 150 A, tariffCode: 85411000, Durchlassstoßstrom: 150A, rohsCompliant: YES, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Durchlassspannung, max.: 1.1V, Sperrverzögerungszeit: -ns, usEccn: EAR99, Durchschnittlicher Durchlassstrom: 8A, euEccn: NLR, Wiederkehrende Spitzensperrspannung: 800V, Anzahl der Pins: 3Pin(s), productTraceability: No, Betriebstemperatur, max.: 150°C.
Інші пропозиції VS-8EWS08STR-M3 за ціною від 95.65 грн до 238.16 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна без ПДВ | ||||||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 |
VS-8EWS08STR-M3 | Виробник : VISHAY |
 Description: VISHAY - VS-8EWS08STR-M3 - Diode mit Standard-Erholzeit, 800 V, 8 A, Einfach, 1.1 V, 150 AtariffCode: 85411000 Durchlassstoßstrom: 150A rohsCompliant: YES hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Durchlassspannung, max.: 1.1V Sperrverzögerungszeit: -ns usEccn: EAR99 Durchschnittlicher Durchlassstrom: 8A euEccn: NLR Wiederkehrende Spitzensperrspannung: 800V Anzahl der Pins: 3Pin(s) productTraceability: No Betriebstemperatur, max.: 150°C |
на замовлення 15794 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||
 |
VS-8EWS08STR-M3 | Виробник : Vishay General Semiconductor - Diodes Division |
Description: DIODE GEN PURP 800V 8A D-PAK |
на замовлення 5 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||
 |
VS-8EWS08STR-M3 | Виробник : Vishay Semiconductors |
Schottky Diodes & Rectifiers New Input Diodes - D-PAK-e3 |
на замовлення 225 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||||||
|
|
VS-8EWS08STR-M3 | Виробник : VISHAY |
Description: VISHAY - VS-8EWS08STR-M3 - Diode mit Standard-Erholzeit, 800 V, 8 A, Einfach, 1.1 V, 150 A tariffCode: 85411000 productTraceability: No Sperrverzögerungszeit: -ns rohsCompliant: YES Durchlassstoßstrom: 150A Durchschnittlicher Durchlassstrom: 8A Anzahl der Pins: 3Pin(s) euEccn: NLR Durchlassspannung, max.: 1.1V hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Wiederkehrende Spitzensperrspannung: 800V Betriebstemperatur, max.: 150°C usEccn: EAR99 |
на замовлення 15794 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||
| VS-8EWS08STR-M3 | Виробник : VISHAY |
Category: SMD universal diodes Description: Diode: rectifying; SMD; 800V; 8A; DPAK; Ufmax: 1.1V; Ifsm: 150A Case: DPAK Mounting: SMD Kind of package: reel; tape Semiconductor structure: single diode Max. off-state voltage: 0.8kV Features of semiconductor devices: glass passivated; high voltage Leakage current: 0.5mA Type of diode: rectifying Max. forward impulse current: 150A Max. forward voltage: 1.1V Load current: 8A кількість в упаковці: 1 шт |
товар відсутній |
||||||||||||||||
|
|
VS-8EWS08STR-M3 | Виробник : Vishay General Semiconductor - Diodes Division |
Description: DIODE GEN PURP 800V 8A D-PAK |
товар відсутній |
|||||||||||||||
| VS-8EWS08STR-M3 | Виробник : VISHAY |
Category: SMD universal diodes Description: Diode: rectifying; SMD; 800V; 8A; DPAK; Ufmax: 1.1V; Ifsm: 150A Case: DPAK Mounting: SMD Kind of package: reel; tape Semiconductor structure: single diode Max. off-state voltage: 0.8kV Features of semiconductor devices: glass passivated; high voltage Leakage current: 0.5mA Type of diode: rectifying Max. forward impulse current: 150A Max. forward voltage: 1.1V Load current: 8A |
товар відсутній |