
на замовлення 2000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість | Ціна |
---|---|
2000+ | 38.48 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис VS-8EWS08STR-M3 Vishay
Description: VISHAY - VS-8EWS08STR-M3 - Diode mit Standard-Erholzeit, 800 V, 8 A, Einfach, 1.1 V, 150 A, tariffCode: 85411000, Bauform - Diode: TO-252AA, Durchlassstoßstrom: 150A, rohsCompliant: YES, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Diodenkonfiguration: Einfach, Qualifikation: -, Durchlassspannung, max.: 1.1V, Sperrverzögerungszeit: -, usEccn: EAR99, Durchschnittlicher Durchlassstrom: 8A, euEccn: NLR, Wiederkehrende Spitzensperrspannung: 800V, Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: -, productTraceability: No, Betriebstemperatur, max.: 150°C, SVHC: Lead (21-Jan-2025).
Інші пропозиції VS-8EWS08STR-M3 за ціною від 38.52 грн до 245.81 грн
Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна | ||||||||||||||
---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
![]() |
VS-8EWS08STR-M3 | Виробник : Vishay |
![]() |
на замовлення 8000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||
![]() |
VS-8EWS08STR-M3 | Виробник : Vishay |
![]() |
на замовлення 8000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||
![]() |
VS-8EWS08STR-M3 | Виробник : VISHAY |
![]() tariffCode: 85411000 Bauform - Diode: TO-252AA Durchlassstoßstrom: 150A rohsCompliant: YES hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Diodenkonfiguration: Einfach Qualifikation: - Durchlassspannung, max.: 1.1V Sperrverzögerungszeit: - usEccn: EAR99 Durchschnittlicher Durchlassstrom: 8A euEccn: NLR Wiederkehrende Spitzensperrspannung: 800V Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: No Betriebstemperatur, max.: 150°C SVHC: Lead (21-Jan-2025) |
на замовлення 16879 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||
![]() |
VS-8EWS08STR-M3 | Виробник : Vishay General Semiconductor - Diodes Division |
![]() Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 Mounting Type: Surface Mount Speed: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io) Technology: Standard Current - Average Rectified (Io): 8A Supplier Device Package: TO-252AA (DPAK) Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 150°C Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 800 V Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.1 V @ 8 A Current - Reverse Leakage @ Vr: 50 µA @ 800 V |
на замовлення 1408 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||
![]() |
VS-8EWS08STR-M3 | Виробник : Vishay Semiconductors |
![]() |
на замовлення 4023 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||||||
![]() |
VS-8EWS08STR-M3 | Виробник : VISHAY |
![]() tariffCode: 85411000 Bauform - Diode: TO-252AA Durchlassstoßstrom: 150A rohsCompliant: YES hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Diodenkonfiguration: Einfach Qualifikation: - Durchlassspannung, max.: 1.1V Sperrverzögerungszeit: - usEccn: EAR99 Durchschnittlicher Durchlassstrom: 8A euEccn: NLR Wiederkehrende Spitzensperrspannung: 800V Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: No Betriebstemperatur, max.: 150°C SVHC: Lead (21-Jan-2025) |
на замовлення 16879 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||
![]() |
VS-8EWS08STR-M3 | Виробник : Vishay |
![]() |
товару немає в наявності |
|||||||||||||||
![]() |
VS-8EWS08STR-M3 | Виробник : Vishay |
![]() |
товару немає в наявності |
|||||||||||||||
![]() |
VS-8EWS08STR-M3 | Виробник : Vishay General Semiconductor - Diodes Division |
![]() Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 Mounting Type: Surface Mount Speed: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io) Technology: Standard Current - Average Rectified (Io): 8A Supplier Device Package: TO-252AA (DPAK) Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 150°C Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 800 V Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.1 V @ 8 A Current - Reverse Leakage @ Vr: 50 µA @ 800 V |
товару немає в наявності |