
VS-8EWS12S-M3 Vishay General Semiconductor - Diodes Division

Description: DIODE STANDARD 1200V 8A TO252AA
Packaging: Tube
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Technology: Standard
Current - Average Rectified (Io): 8A
Supplier Device Package: TO-252AA (DPAK)
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 150°C
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 1200 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.1 V @ 8 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 50 µA @ 1200 V
на замовлення 2945 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість | Ціна |
---|---|
2+ | 231.01 грн |
75+ | 104.41 грн |
150+ | 101.42 грн |
525+ | 88.42 грн |
1050+ | 85.69 грн |
2025+ | 81.73 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис VS-8EWS12S-M3 Vishay General Semiconductor - Diodes Division
Description: DIODE STANDARD 1200V 8A TO252AA, Packaging: Tube, Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63, Mounting Type: Surface Mount, Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io), Technology: Standard, Current - Average Rectified (Io): 8A, Supplier Device Package: TO-252AA (DPAK), Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 150°C, Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 1200 V, Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.1 V @ 8 A, Current - Reverse Leakage @ Vr: 50 µA @ 1200 V.
Інші пропозиції VS-8EWS12S-M3 за ціною від 89.80 грн до 253.55 грн
Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна | ||||||||||||
---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
![]() |
VS-8EWS12S-M3 | Виробник : Vishay Semiconductors |
![]() |
на замовлення 5702 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||||
![]() |
VS-8EWS12S-M3 | Виробник : Vishay |
![]() |
товару немає в наявності |
|||||||||||||
![]() |
VS-8EWS12S-M3 | Виробник : Vishay |
![]() |
товару немає в наявності |