VS-8EWS12S-M3 Vishay General Semiconductor - Diodes Division
Виробник: Vishay General Semiconductor - Diodes DivisionDescription: DIODE GEN PURP 1.2KV 8A DPAK
Packaging: Tube
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Technology: Standard
Current - Average Rectified (Io): 8A
Supplier Device Package: TO-252AA (DPAK)
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 150°C
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 1200 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.1 V @ 8 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 50 µA @ 1200 V
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 2+ | 188.63 грн |
| 75+ | 146.14 грн |
| 150+ | 120.24 грн |
| 525+ | 95.48 грн |
| 1050+ | 81.01 грн |
| 2025+ | 76.96 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис VS-8EWS12S-M3 Vishay General Semiconductor - Diodes Division
Description: DIODE GEN PURP 1.2KV 8A DPAK, Packaging: Tube, Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63, Mounting Type: Surface Mount, Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io), Technology: Standard, Current - Average Rectified (Io): 8A, Supplier Device Package: TO-252AA (DPAK), Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 150°C, Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 1200 V, Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.1 V @ 8 A, Current - Reverse Leakage @ Vr: 50 µA @ 1200 V.
Інші пропозиції VS-8EWS12S-M3 за ціною від 76.62 грн до 204.98 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна без ПДВ | ||||||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 |
VS-8EWS12S-M3 | Виробник : Vishay Semiconductors |
Rectifiers New Input Diodes - D-PAK-e3 |
на замовлення 5757 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||||||
 |
VS-8EWS12S-M3 | Виробник : Vishay |
Diode Switching 1.2KV 8A 3-Pin(2+Tab) DPAK Tube |
товар відсутній |
|||||||||||||||
| VS-8EWS12S-M3 | Виробник : VISHAY |
Category: SMD universal diodes Description: Diode: rectifying; SMD; 1.2kV; 8A; DPAK; Ufmax: 1.1V; Ifsm: 150A; tube Type of diode: rectifying Mounting: SMD Max. off-state voltage: 1.2kV Load current: 8A Semiconductor structure: single diode Features of semiconductor devices: glass passivated; high voltage Case: DPAK Max. forward voltage: 1.1V Max. forward impulse current: 150A Leakage current: 0.5mA Kind of package: tube кількість в упаковці: 1 шт |
товар відсутній |
||||||||||||||||
| VS-8EWS12S-M3 | Виробник : VISHAY |
Category: SMD universal diodes Description: Diode: rectifying; SMD; 1.2kV; 8A; DPAK; Ufmax: 1.1V; Ifsm: 150A; tube Type of diode: rectifying Mounting: SMD Max. off-state voltage: 1.2kV Load current: 8A Semiconductor structure: single diode Features of semiconductor devices: glass passivated; high voltage Case: DPAK Max. forward voltage: 1.1V Max. forward impulse current: 150A Leakage current: 0.5mA Kind of package: tube |
товар відсутній |