VS-8EWS12STR-M3 Vishay General Semiconductor - Diodes Division


vs-8ews08sm.pdf
Виробник: Vishay General Semiconductor - Diodes Division
Description: DIODE STANDARD 1200V 8A TO252AA
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Speed: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io)
Technology: Standard
Current - Average Rectified (Io): 8A
Supplier Device Package: TO-252AA (DPAK)
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 150°C
Part Status: Active
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 1200 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.1 V @ 8 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 50 µA @ 1200 V
на замовлення 2000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
2000+56.44 грн
Мінімальне замовлення: 2000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
Товар під замовлення
Немає на нашому складі — привозимо зі складу постачальника після оформлення замовлення.
термін постачання: 21-31 дні (днів)
Мінімальна партія: 2000 шт
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис VS-8EWS12STR-M3 Vishay General Semiconductor - Diodes Division

Description: DIODE STANDARD 1200V 8A TO252AA, Packaging: Tape & Reel (TR), Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63, Mounting Type: Surface Mount, Speed: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io), Technology: Standard, Current - Average Rectified (Io): 8A, Supplier Device Package: TO-252AA (DPAK), Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 150°C, Part Status: Active, Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 1200 V, Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.1 V @ 8 A, Current - Reverse Leakage @ Vr: 50 µA @ 1200 V.

Інші пропозиції VS-8EWS12STR-M3 за ціною від 52.80 грн до 200.51 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність Ціна без ПДВ
VS-8EWS12STR-M3 VS-8EWS12STR-M3 Vishay General Semiconductor - Diodes Division vs-8ews08sm.pdf Description: DIODE STANDARD 1200V 8A TO252AA
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Speed: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io)
Technology: Standard
Current - Average Rectified (Io): 8A
Supplier Device Package: TO-252AA (DPAK)
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 150°C
Part Status: Active
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 1200 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.1 V @ 8 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 50 µA @ 1200 V
на замовлення 2000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+185.12 грн
10+114.61 грн
50+87.21 грн
100+73.57 грн
500+59.04 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
VS-8EWS12STR-M3 VS-8EWS12STR-M3 Vishay Semiconductors vs-8ews08sm.pdf Schottky Diodes & Rectifiers New Input Diodes - D-PAK-e3
на замовлення 2000 шт:
термін постачання 31-40 дні (днів)
2+200.51 грн
10+126.99 грн
100+76.06 грн
500+60.70 грн
1000+55.95 грн
2000+52.80 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
VS-8EWS12STR-M3 vs-8ews08sm.pdf
Виробник: Vishay General Semiconductor - Diodes Division
Description: DIODE STANDARD 1200V 8A TO252AA
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Speed: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io)
Technology: Standard
Current - Average Rectified (Io): 8A
Supplier Device Package: TO-252AA (DPAK)
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 150°C
Part Status: Active
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 1200 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.1 V @ 8 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 50 µA @ 1200 V
на замовлення 2000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
2+185.12 грн
10+114.61 грн
50+87.21 грн
100+73.57 грн
500+59.04 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
VS-8EWS12STR-M3 vs-8ews08sm.pdf
Виробник: Vishay Semiconductors
Schottky Diodes & Rectifiers New Input Diodes - D-PAK-e3
на замовлення 2000 шт:
термін постачання 31-40 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
2+200.51 грн
10+126.99 грн
100+76.06 грн
500+60.70 грн
1000+55.95 грн
2000+52.80 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.