VS-8EWS12STR-M3 Vishay General Semiconductor - Diodes Division
Виробник: Vishay General Semiconductor - Diodes Division
Description: DIODE STANDARD 1200V 8A TO252AA
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Speed: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io)
Technology: Standard
Current - Average Rectified (Io): 8A
Supplier Device Package: TO-252AA (DPAK)
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 150°C
Part Status: Active
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 1200 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.1 V @ 8 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 50 µA @ 1200 V
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 2+ | 260.17 грн |
| 10+ | 164.18 грн |
| 100+ | 114.82 грн |
| 500+ | 87.96 грн |
| 1000+ | 87.61 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис VS-8EWS12STR-M3 Vishay General Semiconductor - Diodes Division
Description: DIODE STANDARD 1200V 8A TO252AA, Packaging: Tape & Reel (TR), Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63, Mounting Type: Surface Mount, Speed: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io), Technology: Standard, Current - Average Rectified (Io): 8A, Supplier Device Package: TO-252AA (DPAK), Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 150°C, Part Status: Active, Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 1200 V, Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.1 V @ 8 A, Current - Reverse Leakage @ Vr: 50 µA @ 1200 V.
Інші пропозиції VS-8EWS12STR-M3
| Фото | Назва | Виробник | Інформація | Доступність | Ціна без ПДВ |
|---|---|---|---|---|---|
 |
VS-8EWS12STR-M3 | Vishay Semiconductors |
Schottky Diodes & Rectifiers New Input Diodes - D-PAK-e3 |
на замовлення 1990 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
В кошику од. на суму грн. |
| VS-8EWS12STR-M3 |
|
Виробник: Vishay Semiconductors
Schottky Diodes & Rectifiers New Input Diodes - D-PAK-e3
Schottky Diodes & Rectifiers New Input Diodes - D-PAK-e3
на замовлення 1990 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)