VS-8EWS16S-M3 Vishay Semiconductors
на замовлення 1732 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
2+ | 215.77 грн |
10+ | 176.98 грн |
100+ | 122.19 грн |
500+ | 103.7 грн |
1000+ | 87.19 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис VS-8EWS16S-M3 Vishay Semiconductors
Description: DIODE GEN PURP 1.6KV 8A TO252, Packaging: Tube, Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63, Mounting Type: Surface Mount, Speed: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io), Technology: Standard, Current - Average Rectified (Io): 8A, Supplier Device Package: TO-252, (D-Pak), Operating Temperature - Junction: -40°C ~ 150°C, Part Status: Active, Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 1600 V, Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.1 V @ 8 A, Current - Reverse Leakage @ Vr: 50 µA @ 1600 V.
Інші пропозиції VS-8EWS16S-M3
Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна без ПДВ |
---|---|---|---|---|---|
VS-8EWS16S-M3 | Виробник : Vishay | Diode Switching 1.6KV 8A 3-Pin(2+Tab) DPAK Tube |
товар відсутній |
||
VS-8EWS16S-M3 | Виробник : Vishay | Diode Switching 1.6KV 8A 3-Pin(2+Tab) DPAK Tube |
товар відсутній |
||
VS-8EWS16S-M3 | Виробник : VISHAY |
Category: SMD universal diodes Description: Diode: rectifying; SMD; 1.6kV; 8A; DPAK; Ufmax: 1.1V; Ifsm: 150A Case: DPAK Mounting: SMD Semiconductor structure: single diode Max. off-state voltage: 1.6kV Features of semiconductor devices: glass passivated; high voltage Type of diode: rectifying Max. forward impulse current: 150A Max. forward voltage: 1.1V Load current: 8A кількість в упаковці: 1 шт |
товар відсутній |
||
VS-8EWS16S-M3 | Виробник : Vishay General Semiconductor - Diodes Division |
Description: DIODE GEN PURP 1.6KV 8A TO252 Packaging: Tube Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 Mounting Type: Surface Mount Speed: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io) Technology: Standard Current - Average Rectified (Io): 8A Supplier Device Package: TO-252, (D-Pak) Operating Temperature - Junction: -40°C ~ 150°C Part Status: Active Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 1600 V Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.1 V @ 8 A Current - Reverse Leakage @ Vr: 50 µA @ 1600 V |
товар відсутній |
||
VS-8EWS16S-M3 | Виробник : VISHAY |
Category: SMD universal diodes Description: Diode: rectifying; SMD; 1.6kV; 8A; DPAK; Ufmax: 1.1V; Ifsm: 150A Case: DPAK Mounting: SMD Semiconductor structure: single diode Max. off-state voltage: 1.6kV Features of semiconductor devices: glass passivated; high voltage Type of diode: rectifying Max. forward impulse current: 150A Max. forward voltage: 1.1V Load current: 8A |
товар відсутній |