
VS-8EWX06FN-M3 Vishay General Semiconductor - Diodes Division

Description: DIODE GEN PURP 600V 8A TO252
Packaging: Tube
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 17 ns
Technology: Standard
Current - Average Rectified (Io): 8A
Supplier Device Package: TO-252AA (DPAK)
Operating Temperature - Junction: -65°C ~ 175°C
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 600 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 3 V @ 8 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 50 µA @ 600 V
на замовлення 517 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість | Ціна |
---|---|
4+ | 90.72 грн |
75+ | 42.94 грн |
150+ | 38.85 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис VS-8EWX06FN-M3 Vishay General Semiconductor - Diodes Division
Description: DIODE GEN PURP 600V 8A TO252, Packaging: Tube, Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63, Mounting Type: Surface Mount, Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io), Reverse Recovery Time (trr): 17 ns, Technology: Standard, Current - Average Rectified (Io): 8A, Supplier Device Package: TO-252AA (DPAK), Operating Temperature - Junction: -65°C ~ 175°C, Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 600 V, Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 3 V @ 8 A, Current - Reverse Leakage @ Vr: 50 µA @ 600 V.
Інші пропозиції VS-8EWX06FN-M3 за ціною від 28.03 грн до 96.13 грн
Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна | ||||||||||||||||
---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
![]() |
VS-8EWX06FN-M3 | Виробник : Vishay Semiconductors |
![]() |
на замовлення 4530 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|