VS-8EWX06FN-M3 Vishay General Semiconductor - Diodes Division
Виробник: Vishay General Semiconductor - Diodes DivisionDescription: DIODE GEN PURP 600V 8A TO252
Packaging: Tube
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 17 ns
Technology: Standard
Current - Average Rectified (Io): 8A
Supplier Device Package: TO-252AA (DPAK)
Operating Temperature - Junction: -65°C ~ 175°C
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 600 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 3 V @ 8 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 50 µA @ 600 V
на замовлення 517 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 4+ | 94.38 грн |
| 75+ | 44.67 грн |
| 150+ | 40.42 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис VS-8EWX06FN-M3 Vishay General Semiconductor - Diodes Division
Description: DIODE GEN PURP 600V 8A TO252, Packaging: Tube, Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63, Mounting Type: Surface Mount, Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io), Reverse Recovery Time (trr): 17 ns, Technology: Standard, Current - Average Rectified (Io): 8A, Supplier Device Package: TO-252AA (DPAK), Operating Temperature - Junction: -65°C ~ 175°C, Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 600 V, Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 3 V @ 8 A, Current - Reverse Leakage @ Vr: 50 µA @ 600 V.
Інші пропозиції VS-8EWX06FN-M3 за ціною від 29.16 грн до 100.00 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна | ||||||||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 |
VS-8EWX06FN-M3 | Виробник : Vishay Semiconductors |
Rectifiers 8A 600V 15ns Hyperfast |
на замовлення 4530 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|