
VS-8EWX06FN-M3 Vishay Semiconductors
на замовлення 3202 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість | Ціна |
---|---|
4+ | 91.75 грн |
10+ | 41.48 грн |
100+ | 31.83 грн |
500+ | 30.02 грн |
1000+ | 26.39 грн |
6000+ | 26.24 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис VS-8EWX06FN-M3 Vishay Semiconductors
Description: DIODE GEN PURP 600V 8A TO252, Packaging: Tube, Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63, Mounting Type: Surface Mount, Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io), Reverse Recovery Time (trr): 17 ns, Technology: Standard, Current - Average Rectified (Io): 8A, Supplier Device Package: TO-252AA (DPAK), Operating Temperature - Junction: -65°C ~ 175°C, Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 600 V, Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 3 V @ 8 A, Current - Reverse Leakage @ Vr: 50 µA @ 600 V.
Інші пропозиції VS-8EWX06FN-M3 за ціною від 39.93 грн до 93.25 грн
Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна | ||||||||
---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
![]() |
VS-8EWX06FN-M3 | Виробник : Vishay General Semiconductor - Diodes Division |
![]() Packaging: Tube Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 Mounting Type: Surface Mount Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) Reverse Recovery Time (trr): 17 ns Technology: Standard Current - Average Rectified (Io): 8A Supplier Device Package: TO-252AA (DPAK) Operating Temperature - Junction: -65°C ~ 175°C Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 600 V Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 3 V @ 8 A Current - Reverse Leakage @ Vr: 50 µA @ 600 V |
на замовлення 517 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||
VS-8EWX06FN-M3 | Виробник : VISHAY |
![]() Description: Diode: rectifying; SMD; 600V; 8A; DPAK; tube; 75pcs. Type of diode: rectifying Mounting: SMD Max. off-state voltage: 0.6kV Load current: 8A Semiconductor structure: single diode Case: DPAK Kind of package: tube Quantity in set/package: 75pcs. |
товару немає в наявності |