Продукція > VISHAY GENERAL SEMICONDUCTOR - DIODES DIVISION > VS-8TQ100STRR-M3
VS-8TQ100STRR-M3

VS-8TQ100STRR-M3 Vishay General Semiconductor - Diodes Division

vs-8tqs-m3.pdf
Виробник: Vishay General Semiconductor - Diodes Division
Description: DIODE SCHOTTKY 100V 8A TO263AB
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Technology: Schottky
Capacitance @ Vr, F: 500pF @ 5V, 1MHz
Current - Average Rectified (Io): 8A
Supplier Device Package: TO-263AB (D2PAK)
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 175°C
Part Status: Active
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 100 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 720 mV @ 8 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 550 µA @ 80 V
на замовлення 7200 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна
800+64.84 грн
1600+57.85 грн
2400+55.51 грн
4000+49.63 грн
5600+48.17 грн
Мінімальне замовлення: 800 шт
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис VS-8TQ100STRR-M3 Vishay General Semiconductor - Diodes Division

Description: DIODE SCHOTTKY 100V 8A TO263AB, Packaging: Tape & Reel (TR), Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB, Mounting Type: Surface Mount, Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io), Technology: Schottky, Capacitance @ Vr, F: 500pF @ 5V, 1MHz, Current - Average Rectified (Io): 8A, Supplier Device Package: TO-263AB (D2PAK), Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 175°C, Part Status: Active, Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 100 V, Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 720 mV @ 8 A, Current - Reverse Leakage @ Vr: 550 µA @ 80 V.

Інші пропозиції VS-8TQ100STRR-M3 за ціною від 54.27 грн до 199.82 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність Ціна
VS-8TQ100STRR-M3 VS-8TQ100STRR-M3 Vishay General Semiconductor - Diodes Division vs-8tqs-m3.pdf Description: DIODE SCHOTTKY 100V 8A TO263AB
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Technology: Schottky
Capacitance @ Vr, F: 500pF @ 5V, 1MHz
Current - Average Rectified (Io): 8A
Supplier Device Package: TO-263AB (D2PAK)
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 175°C
Part Status: Active
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 100 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 720 mV @ 8 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 550 µA @ 80 V
на замовлення 7900 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+192.68 грн
10+119.65 грн
100+82.11 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
VS-8TQ100STRR-M3 VS-8TQ100STRR-M3 Vishay Semiconductors vs-8tqs-m3.pdf Schottky Diodes & Rectifiers Schottky - D2PAK-e3
на замовлення 5102 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
2+199.82 грн
10+127.26 грн
100+76.12 грн
500+55.12 грн
800+54.27 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
VS-8TQ100STRR-M3 vs-8tqs-m3.pdf
VS-8TQ100STRR-M3
Виробник: Vishay General Semiconductor - Diodes Division
Description: DIODE SCHOTTKY 100V 8A TO263AB
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Technology: Schottky
Capacitance @ Vr, F: 500pF @ 5V, 1MHz
Current - Average Rectified (Io): 8A
Supplier Device Package: TO-263AB (D2PAK)
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 175°C
Part Status: Active
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 100 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 720 mV @ 8 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 550 µA @ 80 V
на замовлення 7900 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна
2+192.68 грн
10+119.65 грн
100+82.11 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
VS-8TQ100STRR-M3 vs-8tqs-m3.pdf
VS-8TQ100STRR-M3
Виробник: Vishay Semiconductors
Schottky Diodes & Rectifiers Schottky - D2PAK-e3
на замовлення 5102 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
КількістьЦіна
2+199.82 грн
10+127.26 грн
100+76.12 грн
500+55.12 грн
800+54.27 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.