VS-C08ET07T-M3 Vishay General Semiconductor - Diodes Division
Виробник: Vishay General Semiconductor - Diodes Division
Description: DIODE SCHOTTKY 650V 8A TO220AC
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис VS-C08ET07T-M3 Vishay General Semiconductor - Diodes Division
Category: THT Schottky diodes, Description: Diode: Schottky rectifying; SiC; THT; 650V; 8A; TO220-2; Ufmax: 1.7V, Type of diode: Schottky rectifying, Technology: SiC, Mounting: THT, Max. off-state voltage: 650V, Load current: 8A, Semiconductor structure: single diode, Case: TO220-2, Max. forward voltage: 1.7V, Max. forward impulse current: 57A, Kind of package: tube.
Інші пропозиції VS-C08ET07T-M3
| Фото | Назва | Виробник | Інформація | Доступність | Ціна без ПДВ |
|---|---|---|---|---|---|
 |
VS-C08ET07T-M3 | Vishay Semiconductors |
SiC Schottky Diodes Si CARBIDE DIODE |
на замовлення 871 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
В кошику од. на суму грн. |
| VS-C08ET07T-M3 |
|
Виробник: Vishay Semiconductors
SiC Schottky Diodes Si CARBIDE DIODE
SiC Schottky Diodes Si CARBIDE DIODE
на замовлення 871 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)