VS-C10ET07T-M3 Vishay General Semiconductor - Diodes Division
Виробник: Vishay General Semiconductor - Diodes Division
Description: DIODE SCHOTTKY 650V 10A TO220AC
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 1+ | 324.16 грн |
| 10+ | 280.34 грн |
| 100+ | 229.68 грн |
| 500+ | 183.49 грн |
Товар під замовлення
Немає на нашому складі — привозимо зі складу постачальника після оформлення замовлення.
термін постачання:
21-31 дні (днів)
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис VS-C10ET07T-M3 Vishay General Semiconductor - Diodes Division
Category: THT Schottky diodes, Description: Diode: Schottky rectifying; SiC; THT; 650V; 10A; TO220-2; tube, Type of diode: Schottky rectifying, Technology: SiC, Mounting: THT, Max. off-state voltage: 650V, Load current: 10A, Semiconductor structure: single diode, Case: TO220-2, Max. forward voltage: 1.75V, Max. forward impulse current: 68A, Kind of package: tube.
Інші пропозиції VS-C10ET07T-M3 за ціною від 135.12 грн до 345.59 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація | Доступність | Ціна без ПДВ | ||||||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 |
VS-C10ET07T-M3 | Vishay Semiconductors |
SiC Schottky Diodes Si CARBIDE DIODE |
на замовлення 758 шт: термін постачання 31-40 дні (днів) |
|
| VS-C10ET07T-M3 |
|
Виробник: Vishay Semiconductors
SiC Schottky Diodes Si CARBIDE DIODE
SiC Schottky Diodes Si CARBIDE DIODE
на замовлення 758 шт:
термін постачання 31-40 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 1+ | 345.59 грн |
| 10+ | 252.71 грн |
| 50+ | 194.51 грн |
| 100+ | 170.01 грн |
| 250+ | 155.90 грн |
| 500+ | 147.00 грн |
| 1000+ | 135.12 грн |