VS-C10ET07T-M3 Vishay General Semiconductor - Diodes Division
Виробник: Vishay General Semiconductor - Diodes Division
Description: DIODE SCHOTTKY 650V 10A TO220AC
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 1+ | 327.54 грн |
| 10+ | 283.26 грн |
| 100+ | 232.08 грн |
| 500+ | 185.40 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис VS-C10ET07T-M3 Vishay General Semiconductor - Diodes Division
Category: THT Schottky diodes, Description: Diode: Schottky rectifying; SiC; THT; 650V; 10A; TO220-2; tube, Type of diode: Schottky rectifying, Technology: SiC, Mounting: THT, Max. off-state voltage: 650V, Load current: 10A, Semiconductor structure: single diode, Case: TO220-2, Max. forward voltage: 1.75V, Max. forward impulse current: 68A, Kind of package: tube.
Інші пропозиції VS-C10ET07T-M3
| Фото | Назва | Виробник | Інформація | Доступність | Ціна без ПДВ |
|---|---|---|---|---|---|
 |
VS-C10ET07T-M3 | Vishay Semiconductors |
SiC Schottky Diodes Si CARBIDE DIODE |
на замовлення 758 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
В кошику од. на суму грн. |
| VS-C10ET07T-M3 |
|
Виробник: Vishay Semiconductors
SiC Schottky Diodes Si CARBIDE DIODE
SiC Schottky Diodes Si CARBIDE DIODE
на замовлення 758 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)