VS-E4TU2006FP-N3 Vishay Semiconductors
| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 5+ | 76.18 грн |
| 10+ | 61.74 грн |
| 100+ | 41.72 грн |
| 500+ | 36.37 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис VS-E4TU2006FP-N3 Vishay Semiconductors
Description: DIODE GP 600V 20A TO220-2FP, Current - Reverse Leakage @ Vr: 15 µA @ 600 V, Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.63 V @ 20 A, Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 600 V, Part Status: Active, Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 175°C, Supplier Device Package: TO-220-2 Full Pack, Current - Average Rectified (Io): 20A, Technology: Standard, Reverse Recovery Time (trr): 61 ns, Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io), Mounting Type: Through Hole, Package / Case: TO-220-2 Full Pack, Packaging: Tube.
Інші пропозиції VS-E4TU2006FP-N3 за ціною від 31.53 грн до 79.02 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна | ||||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 |
VS-E4TU2006FP-N3 | Виробник : Vishay General Semiconductor - Diodes Division |
 Description: DIODE GP 600V 20A TO220-2FPCurrent - Reverse Leakage @ Vr: 15 µA @ 600 V Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.63 V @ 20 A Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 600 V Part Status: Active Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 175°C Supplier Device Package: TO-220-2 Full Pack Current - Average Rectified (Io): 20A Technology: Standard Reverse Recovery Time (trr): 61 ns Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) Mounting Type: Through Hole Package / Case: TO-220-2 Full Pack Packaging: Tube |
на замовлення 1948 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|