Технічний опис VS-E5TH3012-N3 Vishay Semiconductors
Description: DIODE GEN PURP 1.2KV 30A TO220AC, Packaging: Tube, Package / Case: TO-220-2, Mounting Type: Through Hole, Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io), Reverse Recovery Time (trr): 113 ns, Technology: Standard, Current - Average Rectified (Io): 30A, Supplier Device Package: TO-220AC, Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 175°C, Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 1200 V, Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 2.3 V @ 30 A, Current - Reverse Leakage @ Vr: 50 µA @ 1200 V.
Інші пропозиції VS-E5TH3012-N3
| Фото | Назва | Виробник | Інформація | Доступність | Ціна без ПДВ |
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VS-E5TH3012-N3 | Vishay General Semiconductor - Diodes Division |
Description: DIODE GEN PURP 1.2KV 30A TO220AC Packaging: Tube Package / Case: TO-220-2 Mounting Type: Through Hole Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) Reverse Recovery Time (trr): 113 ns Technology: Standard Current - Average Rectified (Io): 30A Supplier Device Package: TO-220AC Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 175°C Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 1200 V Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 2.3 V @ 30 A Current - Reverse Leakage @ Vr: 50 µA @ 1200 V |
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VS-E5TH3012-N3 | VISHAY |
 Description: VISHAY - VS-E5TH3012-N3 - Diode mit Standard-Erholzeit, 1.2 kV, 30 A, Einfach, 2.3 V, 85 ns, 250 ABauform - Diode: TO-220AC Durchlassstoßstrom: 250 Diodenkonfiguration: Einfach Qualifikation: - Durchlassspannung, max.: 2.3 Sperrverzögerungszeit: 85 Durchschnittlicher Durchlassstrom: 30 Wiederkehrende Spitzensperrspannung: 1.2 Anzahl der Pins: 2 Produktpalette: - Betriebstemperatur, max.: 175 SVHC: No SVHC (16-Jan-2020) |
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| VS-E5TH3012-N3 |
Виробник: Vishay General Semiconductor - Diodes Division
Description: DIODE GEN PURP 1.2KV 30A TO220AC
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-2
Mounting Type: Through Hole
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 113 ns
Technology: Standard
Current - Average Rectified (Io): 30A
Supplier Device Package: TO-220AC
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 175°C
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 1200 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 2.3 V @ 30 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 50 µA @ 1200 V
Description: DIODE GEN PURP 1.2KV 30A TO220AC
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-2
Mounting Type: Through Hole
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 113 ns
Technology: Standard
Current - Average Rectified (Io): 30A
Supplier Device Package: TO-220AC
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 175°C
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 1200 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 2.3 V @ 30 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 50 µA @ 1200 V
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| VS-E5TH3012-N3 |
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Виробник: VISHAY
Description: VISHAY - VS-E5TH3012-N3 - Diode mit Standard-Erholzeit, 1.2 kV, 30 A, Einfach, 2.3 V, 85 ns, 250 A
Bauform - Diode: TO-220AC
Durchlassstoßstrom: 250
Diodenkonfiguration: Einfach
Qualifikation: -
Durchlassspannung, max.: 2.3
Sperrverzögerungszeit: 85
Durchschnittlicher Durchlassstrom: 30
Wiederkehrende Spitzensperrspannung: 1.2
Anzahl der Pins: 2
Produktpalette: -
Betriebstemperatur, max.: 175
SVHC: No SVHC (16-Jan-2020)
Description: VISHAY - VS-E5TH3012-N3 - Diode mit Standard-Erholzeit, 1.2 kV, 30 A, Einfach, 2.3 V, 85 ns, 250 A
Bauform - Diode: TO-220AC
Durchlassstoßstrom: 250
Diodenkonfiguration: Einfach
Qualifikation: -
Durchlassspannung, max.: 2.3
Sperrverzögerungszeit: 85
Durchschnittlicher Durchlassstrom: 30
Wiederkehrende Spitzensperrspannung: 1.2
Anzahl der Pins: 2
Produktpalette: -
Betriebstemperatur, max.: 175
SVHC: No SVHC (16-Jan-2020)
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