VS-E5TW1206FP-N3 Vishay Semiconductors
на замовлення 1993 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 4+ | 107.52 грн |
| 10+ | 87.62 грн |
| 100+ | 58.49 грн |
| 500+ | 49.49 грн |
| 1000+ | 40.35 грн |
| 3000+ | 37.95 грн |
| 5000+ | 37.73 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис VS-E5TW1206FP-N3 Vishay Semiconductors
Description: DIODE GP 600V 12A TO220-2FP, Packaging: Tube, Package / Case: TO-220-2 Full Pack, Mounting Type: Through Hole, Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io), Reverse Recovery Time (trr): 26 ns, Technology: Standard, Current - Average Rectified (Io): 12A, Supplier Device Package: TO-220-2 Full Pack, Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 175°C, Part Status: Active, Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 600 V, Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 3.35 V @ 12 A, Current - Reverse Leakage @ Vr: 10 µA @ 600 V.
Інші пропозиції VS-E5TW1206FP-N3 за ціною від 46.82 грн до 109.90 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна | ||||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 |
VS-E5TW1206FP-N3 | Виробник : Vishay General Semiconductor - Diodes Division |
 Description: DIODE GP 600V 12A TO220-2FPPackaging: Tube Package / Case: TO-220-2 Full Pack Mounting Type: Through Hole Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) Reverse Recovery Time (trr): 26 ns Technology: Standard Current - Average Rectified (Io): 12A Supplier Device Package: TO-220-2 Full Pack Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 175°C Part Status: Active Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 600 V Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 3.35 V @ 12 A Current - Reverse Leakage @ Vr: 10 µA @ 600 V |
на замовлення 1088 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|