Продукція > VISHAY GENERAL SEMICONDUCTOR - DIODES DIVISION > VS-E5TX3006S2L-M3
VS-E5TX3006S2L-M3

VS-E5TX3006S2L-M3 Vishay General Semiconductor - Diodes Division

vs-e5tx3006s2l-m3.pdf Виробник: Vishay General Semiconductor - Diodes Division
Description: DIODE GEN PURP 600V 30A TO263AB
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 39 ns
Technology: Standard
Current - Average Rectified (Io): 30A
Supplier Device Package: TO-263AB (D2PAK)
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 175°C
Part Status: Active
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 600 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 2.1 V @ 30 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 20 µA @ 600 V
на замовлення 797 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
2+170.86 грн
10+ 112.39 грн
100+ 80.68 грн
Мінімальне замовлення: 2
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис VS-E5TX3006S2L-M3 Vishay General Semiconductor - Diodes Division

Description: DIODE GEN PURP 600V 30A TO263AB, Packaging: Tape & Reel (TR), Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB, Mounting Type: Surface Mount, Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io), Reverse Recovery Time (trr): 39 ns, Technology: Standard, Current - Average Rectified (Io): 30A, Supplier Device Package: TO-263AB (D2PAK), Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 175°C, Part Status: Active, Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 600 V, Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 2.1 V @ 30 A, Current - Reverse Leakage @ Vr: 20 µA @ 600 V.

Інші пропозиції VS-E5TX3006S2L-M3 за ціною від 61.99 грн до 176.9 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна без ПДВ
VS-E5TX3006S2L-M3 VS-E5TX3006S2L-M3 Виробник : Vishay Semiconductors vs-e5tx3006s2l-m3.pdf Rectifiers 30A, 600V, "X" Series GEN 5 Fred PT
на замовлення 1001 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
2+176.9 грн
10+ 126.75 грн
100+ 79.33 грн
800+ 67.25 грн
2400+ 61.99 грн
Мінімальне замовлення: 2
VS-E5TX3006S2L-M3 VS-E5TX3006S2L-M3 Виробник : Vishay General Semiconductor - Diodes Division vs-e5tx3006s2l-m3.pdf Description: DIODE GEN PURP 600V 30A TO263AB
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 39 ns
Technology: Standard
Current - Average Rectified (Io): 30A
Supplier Device Package: TO-263AB (D2PAK)
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 175°C
Part Status: Active
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 600 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 2.1 V @ 30 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 20 µA @ 600 V
товару немає в наявності