Продукція > VISHAY GENERAL SEMICONDUCTOR - DIODES DIVISION > VS-E5TX3012S2L-M3
VS-E5TX3012S2L-M3

VS-E5TX3012S2L-M3 Vishay General Semiconductor - Diodes Division

vs-e5tx3012s2l-m3.pdf Виробник: Vishay General Semiconductor - Diodes Division
Description: DIODE GEN PURP 1.2KV 30A TO263AB
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 100 ns
Technology: Standard
Current - Average Rectified (Io): 30A
Supplier Device Package: TO-263AB (D2PAK)
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 175°C
Part Status: Active
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 1200 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 3.3 V @ 30 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 50 µA @ 1200 V
на замовлення 1540 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
2+206.55 грн
10+ 136.16 грн
100+ 98.61 грн
Мінімальне замовлення: 2
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис VS-E5TX3012S2L-M3 Vishay General Semiconductor - Diodes Division

Description: DIODE GEN PURP 1.2KV 30A TO263AB, Packaging: Tape & Reel (TR), Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB, Mounting Type: Surface Mount, Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io), Reverse Recovery Time (trr): 100 ns, Technology: Standard, Current - Average Rectified (Io): 30A, Supplier Device Package: TO-263AB (D2PAK), Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 175°C, Part Status: Active, Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 1200 V, Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 3.3 V @ 30 A, Current - Reverse Leakage @ Vr: 50 µA @ 1200 V.

Інші пропозиції VS-E5TX3012S2L-M3 за ціною від 78.62 грн до 218.67 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна без ПДВ
VS-E5TX3012S2L-M3 VS-E5TX3012S2L-M3 Виробник : Vishay Semiconductors vs-e5tx3012s2l-m3.pdf Rectifiers 30A, 1200V, "X" Series GEN 5 Fred PT
на замовлення 1234 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
2+218.67 грн
10+ 153.39 грн
100+ 96.88 грн
800+ 78.62 грн
Мінімальне замовлення: 2
VS-E5TX3012S2L-M3 VS-E5TX3012S2L-M3 Виробник : Vishay General Semiconductor - Diodes Division vs-e5tx3012s2l-m3.pdf Description: DIODE GEN PURP 1.2KV 30A TO263AB
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 100 ns
Technology: Standard
Current - Average Rectified (Io): 30A
Supplier Device Package: TO-263AB (D2PAK)
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 175°C
Part Status: Active
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 1200 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 3.3 V @ 30 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 50 µA @ 1200 V
товару немає в наявності