VS-ETH0806-M3 Vishay General Semiconductor - Diodes Division
Виробник: Vishay General Semiconductor - Diodes Division
Description: DIODE GEN PURP 600V 8A TO220AC
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-220-2
Mounting Type: Through Hole
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 21 ns
Technology: Standard
Current - Average Rectified (Io): 8A
Supplier Device Package: TO-220AC
Operating Temperature - Junction: -65°C ~ 175°C
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 600 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 2.65 V @ 8 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 12 µA @ 600 V
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 4+ | 93.85 грн |
| 50+ | 46.84 грн |
| 100+ | 42.28 грн |
| 500+ | 31.99 грн |
| 1000+ | 29.48 грн |
| 2000+ | 27.34 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис VS-ETH0806-M3 Vishay General Semiconductor - Diodes Division
Description: DIODE GEN PURP 600V 8A TO220AC, Packaging: Bulk, Package / Case: TO-220-2, Mounting Type: Through Hole, Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io), Reverse Recovery Time (trr): 21 ns, Technology: Standard, Current - Average Rectified (Io): 8A, Supplier Device Package: TO-220AC, Operating Temperature - Junction: -65°C ~ 175°C, Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 600 V, Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 2.65 V @ 8 A, Current - Reverse Leakage @ Vr: 12 µA @ 600 V.
Інші пропозиції VS-ETH0806-M3
| Фото | Назва | Виробник | Інформація | Доступність | Ціна без ПДВ |
|---|---|---|---|---|---|
 |
VS-ETH0806-M3 | Vishay Semiconductors |
Rectifiers 8A 600V Hyperfast 21ns |
на замовлення 4780 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
В кошику од. на суму грн. |
| VS-ETH0806-M3 |
|
Виробник: Vishay Semiconductors
Rectifiers 8A 600V Hyperfast 21ns
Rectifiers 8A 600V Hyperfast 21ns
на замовлення 4780 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)