VS-ETH1506-M3 Vishay Semiconductors
на замовлення 8953 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 5+ | 80.28 грн |
| 10+ | 69.32 грн |
| 100+ | 53.12 грн |
| 500+ | 48.70 грн |
| 1000+ | 48.01 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис VS-ETH1506-M3 Vishay Semiconductors
Category: THT universal diodes, Description: Diode: rectifying; THT; 600V; 15A; tube; Ifsm: 160A; TO220AC; 65ns, Type of diode: rectifying, Mounting: THT, Max. off-state voltage: 0.6kV, Load current: 15A, Reverse recovery time: 65ns, Semiconductor structure: single diode, Features of semiconductor devices: ultrafast switching, Case: TO220AC, Max. forward voltage: 1.6V, Kind of package: tube, Heatsink thickness: 1.14...1.4mm, Leakage current: 0.2mA, Capacitance: 12pF, Max. forward impulse current: 160A.
Інші пропозиції VS-ETH1506-M3
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна |
|---|---|---|---|---|---|
 |
VS-ETH1506-M3 | Виробник : Vishay |
 Diode Switching 600V 15A 2-Pin(2+Tab) TO-220AC Tube |
товару немає в наявності |
|
 |
VS-ETH1506-M3 | Виробник : Vishay |
Diode Switching 600V 15A 2-Pin(2+Tab) TO-220AC Tube |
товару немає в наявності |
|
 |
VS-ETH1506-M3 | Виробник : Vishay General Semiconductor - Diodes Division |
Description: DIODE STANDARD 600V 15A TO220AC Packaging: Tube Package / Case: TO-220-2 Mounting Type: Through Hole Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) Reverse Recovery Time (trr): 29 ns Technology: Standard Current - Average Rectified (Io): 15A Supplier Device Package: TO-220AC Operating Temperature - Junction: -65°C ~ 175°C Part Status: Active Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 600 V Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 2.45 V @ 15 A Current - Reverse Leakage @ Vr: 15 µA @ 600 V |
товару немає в наявності |
|
| VS-ETH1506-M3 | Виробник : VISHAY |
Category: THT universal diodes Description: Diode: rectifying; THT; 600V; 15A; tube; Ifsm: 160A; TO220AC; 65ns Type of diode: rectifying Mounting: THT Max. off-state voltage: 0.6kV Load current: 15A Reverse recovery time: 65ns Semiconductor structure: single diode Features of semiconductor devices: ultrafast switching Case: TO220AC Max. forward voltage: 1.6V Kind of package: tube Heatsink thickness: 1.14...1.4mm Leakage current: 0.2mA Capacitance: 12pF Max. forward impulse current: 160A |
товару немає в наявності |