VS-ETH3006STRL-M3

VS-ETH3006STRL-M3 Vishay General Semiconductor - Diodes Division


vs-eth3006s-m3.pdf Виробник: Vishay General Semiconductor - Diodes Division
Description: DIODE GEN PURP 600V 30A TO263AB
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 26 ns
Technology: Standard
Current - Average Rectified (Io): 30A
Supplier Device Package: TO-263AB (D2PAK)
Operating Temperature - Junction: -65°C ~ 175°C
Part Status: Active
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 600 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 2.65 V @ 30 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 30 µA @ 600 V
на замовлення 7200 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
800+66.58 грн
1600+ 54.4 грн
2400+ 51.68 грн
5600+ 46.68 грн
Мінімальне замовлення: 800
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис VS-ETH3006STRL-M3 Vishay General Semiconductor - Diodes Division

Description: DIODE GEN PURP 600V 30A TO263AB, Packaging: Tape & Reel (TR), Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB, Mounting Type: Surface Mount, Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io), Reverse Recovery Time (trr): 26 ns, Technology: Standard, Current - Average Rectified (Io): 30A, Supplier Device Package: TO-263AB (D2PAK), Operating Temperature - Junction: -65°C ~ 175°C, Part Status: Active, Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 600 V, Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 2.65 V @ 30 A, Current - Reverse Leakage @ Vr: 30 µA @ 600 V.

Інші пропозиції VS-ETH3006STRL-M3 за ціною від 67.69 грн до 128.81 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна без ПДВ
VS-ETH3006STRL-M3 VS-ETH3006STRL-M3 Виробник : Vishay General Semiconductor - Diodes Division vs-eth3006s-m3.pdf Description: DIODE GEN PURP 600V 30A TO263AB
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 26 ns
Technology: Standard
Current - Average Rectified (Io): 30A
Supplier Device Package: TO-263AB (D2PAK)
Operating Temperature - Junction: -65°C ~ 175°C
Part Status: Active
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 600 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 2.65 V @ 30 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 30 µA @ 600 V
на замовлення 7919 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
3+118.72 грн
10+ 95.22 грн
100+ 75.77 грн
Мінімальне замовлення: 3
VS-ETH3006STRL-M3 VS-ETH3006STRL-M3 Виробник : Vishay Semiconductors vs-eth3006s-m3.pdf Rectifiers 30A 600V Hyperfast 26ns
на замовлення 7954 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
3+128.81 грн
10+ 105.81 грн
100+ 73.61 грн
500+ 67.69 грн
Мінімальне замовлення: 3
VS-ETH3006STRL-M3
Код товару: 144157
vs-eth3006s-m3.pdf Діоди, діодні мости, стабілітрони > Діоди випрямні й імпульсні
товар відсутній
VS-ETH3006STRL-M3 VS-ETH3006STRL-M3 Виробник : Vishay vs-eth3006s-m3.pdf Diode Switching 600V 30A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
товар відсутній
VS-ETH3006STRL-M3 VS-ETH3006STRL-M3 Виробник : Vishay vs-eth3006s-m3.pdf Diode Switching 600V 30A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
товар відсутній
VS-ETH3006STRL-M3 VS-ETH3006STRL-M3 Виробник : Vishay vs-eth3006s-m3.pdf Diode Switching 600V 30A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
товар відсутній