VS-ETH3007THN3 Vishay Semiconductors
| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 3+ | 113.58 грн |
| 10+ | 101.56 грн |
| 100+ | 69.54 грн |
| 500+ | 61.89 грн |
| 3000+ | 61.68 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис VS-ETH3007THN3 Vishay Semiconductors
Description: DIODE STANDARD 650V 30A TO220AC, Packaging: Tube, Package / Case: TO-220-2, Mounting Type: Through Hole, Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io), Reverse Recovery Time (trr): 37 ns, Technology: Standard, Current - Average Rectified (Io): 30A, Supplier Device Package: TO-220AC, Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 175°C, Grade: Automotive, Part Status: Active, Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 650 V, Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 2.1 V @ 30 A, Current - Reverse Leakage @ Vr: 30 µA @ 650 V, Qualification: AEC-Q101.
Інші пропозиції VS-ETH3007THN3 за ціною від 56.06 грн до 136.91 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна | ||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 |
VS-ETH3007THN3 | Виробник : Vishay General Semiconductor - Diodes Division |
 Description: DIODE STANDARD 650V 30A TO220ACPackaging: Tube Package / Case: TO-220-2 Mounting Type: Through Hole Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) Reverse Recovery Time (trr): 37 ns Technology: Standard Current - Average Rectified (Io): 30A Supplier Device Package: TO-220AC Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 175°C Grade: Automotive Part Status: Active Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 650 V Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 2.1 V @ 30 A Current - Reverse Leakage @ Vr: 30 µA @ 650 V Qualification: AEC-Q101 |
на замовлення 995 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|