VS-ETL1506-1-M3 Vishay Semiconductors
| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 3+ | 133.87 грн |
| 10+ | 119.16 грн |
| 100+ | 80.67 грн |
| 500+ | 66.48 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис VS-ETL1506-1-M3 Vishay Semiconductors
Description: DIODE GEN PURP 600V 15A TO262-3, Technology: Standard, Reverse Recovery Time (trr): 210 ns, Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io), Mounting Type: Through Hole, Package / Case: TO-262-3 Long Leads, I²Pak, TO-262AA, Packaging: Bulk, Current - Reverse Leakage @ Vr: 15 µA @ 600 V, Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.07 V @ 15 A, Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 600 V, Operating Temperature - Junction: -65°C ~ 175°C, Supplier Device Package: TO-262-3, Current - Average Rectified (Io): 15A.
Інші пропозиції VS-ETL1506-1-M3
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна |
|---|---|---|---|---|---|
 |
VS-ETL1506-1-M3 | Виробник : Vishay General Semiconductor - Diodes Division |
 Description: DIODE GEN PURP 600V 15A TO262-3Technology: Standard Reverse Recovery Time (trr): 210 ns Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) Mounting Type: Through Hole Package / Case: TO-262-3 Long Leads, I²Pak, TO-262AA Packaging: Bulk Current - Reverse Leakage @ Vr: 15 µA @ 600 V Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.07 V @ 15 A Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 600 V Operating Temperature - Junction: -65°C ~ 175°C Supplier Device Package: TO-262-3 Current - Average Rectified (Io): 15A |
товару немає в наявності |