VS-ETX1506S-M3 Vishay Semiconductors
на замовлення 918 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 3+ | 110.32 грн |
| 10+ | 88.84 грн |
| 100+ | 60 грн |
| 500+ | 50.88 грн |
| 1000+ | 47.95 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис VS-ETX1506S-M3 Vishay Semiconductors
Description: DIODE GEN PURP 600V 15A TO263AB, Packaging: Bulk, Package / Case: TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB, Mounting Type: Surface Mount, Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io), Reverse Recovery Time (trr): 20 ns, Technology: Standard, Current - Average Rectified (Io): 15A, Supplier Device Package: TO-263AB (D²PAK), Operating Temperature - Junction: -65°C ~ 175°C, Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 600 V, Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 3.4 V @ 15 A, Current - Reverse Leakage @ Vr: 36 µA @ 600 V.
Інші пропозиції VS-ETX1506S-M3
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна без ПДВ |
|---|---|---|---|---|---|
 |
VS-ETX1506S-M3 | Виробник : Vishay |
 Rectifier Diode Switching 600V 15A 30ns 3-Pin(2+Tab) D2PAK Tube |
товар відсутній |
|
| VS-ETX1506S-M3 | Виробник : Vishay General Semiconductor - Diodes Division |
Description: DIODE GEN PURP 600V 15A TO263AB Packaging: Bulk Package / Case: TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB Mounting Type: Surface Mount Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) Reverse Recovery Time (trr): 20 ns Technology: Standard Current - Average Rectified (Io): 15A Supplier Device Package: TO-263AB (D²PAK) Operating Temperature - Junction: -65°C ~ 175°C Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 600 V Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 3.4 V @ 15 A Current - Reverse Leakage @ Vr: 36 µA @ 600 V |
товар відсутній |