VS-FC100SA65 Vishay Semiconductors
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 1+ | 2270.94 грн |
| 10+ | 1430.57 грн |
| 100+ | 1167.00 грн |
Товар під замовлення
Немає на нашому складі — привозимо зі складу постачальника після оформлення замовлення.
термін постачання:
31-40 дні (днів)
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис VS-FC100SA65 Vishay Semiconductors
Description: VISHAY - VS-FC100SA65 - MOSFET-Transistor, n-Kanal, 113 A, 650 V, 0.0273 ohm, 13 V, 5.1 V, tariffCode: 85412900, euEccn: NLR, Drain-Source-Spannung Vds: 650V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 113A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, isCanonical: Y, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 5.1V, Verlustleistung: 833W, SVHC: No SVHC (04-Feb-2026), Produktpalette: -, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Kanaltyp: n-Kanal, usEccn: EAR99, Betriebstemperatur, max.: 150°C, Rds(on)-Prüfspannung: 13V, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0273ohm.
Інші пропозиції VS-FC100SA65 за ціною від 1196.12 грн до 2356.96 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація | Доступність | Ціна без ПДВ | ||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 |
VS-FC100SA65 | Vishay General Semiconductor - Diodes Division |
 Description: POWER MODULE, SINGLE SWITCH - SU |
на замовлення 160 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||
 |
VS-FC100SA65 | VISHAY |
Description: VISHAY - VS-FC100SA65 - MOSFET-Transistor, n-Kanal, 113 A, 650 V, 0.0273 ohm, 13 V, 5.1 V tariffCode: 85412900 euEccn: NLR Drain-Source-Spannung Vds: 650V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 113A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES isCanonical: Y Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 5.1V Verlustleistung: 833W SVHC: No SVHC (04-Feb-2026) Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: n-Kanal usEccn: EAR99 Betriebstemperatur, max.: 150°C Rds(on)-Prüfspannung: 13V Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0273ohm |
на замовлення 160 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
В кошику од. на суму грн. |
| VS-FC100SA65 |
|
Виробник: Vishay General Semiconductor - Diodes Division
Description: POWER MODULE, SINGLE SWITCH - SU
Description: POWER MODULE, SINGLE SWITCH - SU
на замовлення 160 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 1+ | 2356.96 грн |
| 10+ | 1669.01 грн |
| 50+ | 1413.46 грн |
| 100+ | 1196.12 грн |
| VS-FC100SA65 |
|
Виробник: VISHAY
Description: VISHAY - VS-FC100SA65 - MOSFET-Transistor, n-Kanal, 113 A, 650 V, 0.0273 ohm, 13 V, 5.1 V
tariffCode: 85412900
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 650V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 113A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
isCanonical: Y
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 5.1V
Verlustleistung: 833W
SVHC: No SVHC (04-Feb-2026)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
usEccn: EAR99
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 13V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0273ohm
Description: VISHAY - VS-FC100SA65 - MOSFET-Transistor, n-Kanal, 113 A, 650 V, 0.0273 ohm, 13 V, 5.1 V
tariffCode: 85412900
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 650V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 113A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
isCanonical: Y
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 5.1V
Verlustleistung: 833W
SVHC: No SVHC (04-Feb-2026)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
usEccn: EAR99
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 13V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0273ohm
на замовлення 160 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)