Продукція > VISHAY > VS-FC420SA10
VS-FC420SA10

VS-FC420SA10 Vishay


vs-fc420sa10.pdf Виробник: Vishay
SOT-227 Power Module
на замовлення 160 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
160+1648.33 грн
Мінімальне замовлення: 160
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис VS-FC420SA10 Vishay

Description: VISHAY - VS-FC420SA10 - MOSFET-Transistor, n-Kanal, 435A, 100V, 0.0013 Ohm, 10V, 2.9V, SOT-227, tariffCode: 85412900, Drain-Source-Spannung Vds: 100V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 435A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, isCanonical: Y, usEccn: EAR99, Verlustleistung Pd: 652W, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3.8V, euEccn: NLR, Verlustleistung: 652W, Produktpalette: TrenchFET Series, productTraceability: No, Wandlerpolarität: n-Kanal, Kanaltyp: n-Kanal, Betriebswiderstand, Rds(on): 0.0013ohm, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Betriebstemperatur, max.: 175°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 2150µohm, SVHC: To Be Advised.

Інші пропозиції VS-FC420SA10 за ціною від 1041.33 грн до 2153.27 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна
VS-FC420SA10 VS-FC420SA10 Виробник : Vishay vsfc420sa10.pdf Trans MOSFET N-CH 100V 435A 4-Pin SOT-227 Tube
на замовлення 84 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
84+1672.03 грн
Мінімальне замовлення: 84
В кошику  од. на суму  грн.
VS-FC420SA10 VS-FC420SA10 Виробник : Vishay vsfc420sa10.pdf Trans MOSFET N-CH 100V 435A 4-Pin SOT-227 Tube
на замовлення 80 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
80+1791.03 грн
Мінімальне замовлення: 80
В кошику  од. на суму  грн.
VS-FC420SA10 VS-FC420SA10 Виробник : Vishay General Semiconductor - Diodes Division vs-fc420sa10.pdf Description: MOSFET N-CH 100V 435A SOT227
Packaging: Tube
Package / Case: SOT-227-4, miniBLOC
Mounting Type: Chassis Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 435A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.15mOhm @ 200A, 10V
Power Dissipation (Max): 652W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.8V @ 750µA
Supplier Device Package: SOT-227
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 375 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 17300 pF @ 25 V
на замовлення 8172 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
1+1803.63 грн
10+1224.12 грн
100+1041.33 грн
В кошику  од. на суму  грн.
VS-FC420SA10 VS-FC420SA10 Виробник : Vishay Semiconductors vs-fc420sa10.pdf MOSFET Modules 100V 435A Module SOT-227
на замовлення 1156 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
1+1980.40 грн
10+1682.22 грн
В кошику  од. на суму  грн.
VS-FC420SA10 VS-FC420SA10 Виробник : VISHAY VISH-S-A0009391673-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: VISHAY - VS-FC420SA10 - MOSFET-Transistor, n-Kanal, 435A, 100V, 0.0013 Ohm, 10V, 2.9V, SOT-227
tariffCode: 85412900
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 435A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
isCanonical: Y
usEccn: EAR99
Verlustleistung Pd: 652W
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3.8V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 652W
Produktpalette: TrenchFET Series
productTraceability: No
Wandlerpolarität: n-Kanal
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.0013ohm
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 2150µohm
SVHC: To Be Advised
на замовлення 1950 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
1+2153.27 грн
5+1835.75 грн
10+1518.23 грн
50+1407.30 грн
100+1296.00 грн
В кошику  од. на суму  грн.
VS-FC420SA10 VS-FC420SA10 Виробник : Vishay vsfc420sa10.pdf Trans MOSFET N-CH 100V 435A 4-Pin SOT-227 Tube
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
VS-FC420SA10 VS-FC420SA10 Виробник : Vishay vsfc420sa10.pdf Trans MOSFET N-CH 100V 435A 4-Pin SOT-227 Tube
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
VS-FC420SA10 Виробник : VISHAY vs-fc420sa10.pdf Category: Transistor modules MOSFET
Description: Module; single transistor; 100V; 330A; SOT227B; screw; Idm: 1.13kA
Type of semiconductor module: MOSFET transistor
Semiconductor structure: single transistor
Drain-source voltage: 100V
Drain current: 330A
Case: SOT227B
Electrical mounting: screw
Polarisation: unipolar
On-state resistance: 1.3mΩ
Pulsed drain current: 1.13kA
Power dissipation: 652W
Technology: TrenchFET®
Kind of channel: enhancement
Gate-source voltage: ±20V
Mechanical mounting: screw
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.