VS-GB50YF120N Vishay General Semiconductor - Diodes Division
Виробник: Vishay General Semiconductor - Diodes Division
Description: IGBT MOD 1200V 66A ECONO2 4PACK
Current - Collector Cutoff (Max): 250 µA
Power - Max: 330 W
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 1200 V
Current - Collector (Ic) (Max): 66 A
Supplier Device Package: ECONO2 4PACK
NTC Thermistor: No
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 4.5V @ 15V, 75A
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Input: Standard
Mounting Type: Chassis Mount
Package / Case: Module
Packaging: Bulk
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис VS-GB50YF120N Vishay General Semiconductor - Diodes Division
Description: IGBT MOD 1200V 66A ECONO2 4PACK, Current - Collector Cutoff (Max): 250 µA, Power - Max: 330 W, Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 1200 V, Current - Collector (Ic) (Max): 66 A, Supplier Device Package: ECONO2 4PACK, NTC Thermistor: No, Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 4.5V @ 15V, 75A, Operating Temperature: 150°C (TJ), Input: Standard, Mounting Type: Chassis Mount, Package / Case: Module, Packaging: Bulk.
Інші пропозиції VS-GB50YF120N
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна |
|---|---|---|---|---|---|
| VS-GB50YF120N | Виробник : Vishay Semiconductors | IGBT Modules 1200 Volt 50 Amp |
товару немає в наявності |