VS-GP100TS60SFPBF

VS-GP100TS60SFPBF Vishay Semiconductors


Виробник: Vishay Semiconductors
IGBT Transistors Ic 100A Vce(On)1.16V Half Brdge Trench P
на замовлення 1 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
1+6525.32 грн
10+5828.98 грн
30+4893.61 грн
60+4717.79 грн
105+4544.23 грн
255+4499.71 грн
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис VS-GP100TS60SFPBF Vishay Semiconductors

Description: IGBT MOD 600V 337A INT-A-PAK, Packaging: Tube, Package / Case: INT-A-PAK, Mounting Type: Chassis Mount, Input: Standard, Configuration: Half Bridge, Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ), Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 1.34V @ 15V, 100A, NTC Thermistor: No, Supplier Device Package: INT-A-PAK, IGBT Type: PT, Trench, Part Status: Obsolete, Current - Collector (Ic) (Max): 337 A, Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 600 V, Power - Max: 781 W, Current - Collector Cutoff (Max): 150 µA.

Інші пропозиції VS-GP100TS60SFPBF

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна
VS-GP100TS60SFPBF Виробник : Vishay General Semiconductor - Diodes Division Description: IGBT MOD 600V 337A INT-A-PAK
Packaging: Tube
Package / Case: INT-A-PAK
Mounting Type: Chassis Mount
Input: Standard
Configuration: Half Bridge
Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ)
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 1.34V @ 15V, 100A
NTC Thermistor: No
Supplier Device Package: INT-A-PAK
IGBT Type: PT, Trench
Part Status: Obsolete
Current - Collector (Ic) (Max): 337 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 600 V
Power - Max: 781 W
Current - Collector Cutoff (Max): 150 µA
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.