VS-GT100DA120UF Vishay General Semiconductor - Diodes Division
Виробник: Vishay General Semiconductor - Diodes Division
Description: IGBT MOD 1200V 187A 890W SOT-227
Packaging: Bulk
Package / Case: SOT-227-4, miniBLOC
Mounting Type: Chassis Mount
Input: Standard
Configuration: Single
Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ)
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.55V @ 15V, 100A
NTC Thermistor: No
Supplier Device Package: SOT-227
IGBT Type: Trench
Current - Collector (Ic) (Max): 187 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 1200 V
Power - Max: 890 W
Current - Collector Cutoff (Max): 100 µA
Input Capacitance (Cies) @ Vce: 6.15 nF @ 25 V
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 1+ | 2860.34 грн |
| 10+ | 2059.33 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис VS-GT100DA120UF Vishay General Semiconductor - Diodes Division
Description: IGBT MOD 1200V 187A 890W SOT-227, Packaging: Bulk, Package / Case: SOT-227-4, miniBLOC, Mounting Type: Chassis Mount, Input: Standard, Configuration: Single, Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ), Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.55V @ 15V, 100A, NTC Thermistor: No, Supplier Device Package: SOT-227, IGBT Type: Trench, Current - Collector (Ic) (Max): 187 A, Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 1200 V, Power - Max: 890 W, Current - Collector Cutoff (Max): 100 µA, Input Capacitance (Cies) @ Vce: 6.15 nF @ 25 V.
Інші пропозиції VS-GT100DA120UF за ціною від 2227.66 грн до 3434.57 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація | Доступність | Ціна без ПДВ | ||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 |
VS-GT100DA120UF | Vishay Semiconductors |
IGBT Modules 1200V, 100A IGBT SOT-227 Bplr Tnstr |
на замовлення 218 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||
 |
VS-GT100DA120UF | VISHAY |
Category: IGBT modules Description: Module: IGBT; single transistor; Urmax: 1.2kV; Ic: 100A; SOT227B Type of semiconductor module: IGBT Semiconductor structure: single transistor Max. off-state voltage: 1.2kV Collector current: 100A Case: SOT227B Electrical mounting: screw Gate-emitter voltage: ±20V Pulsed collector current: 240A Technology: Trench Features of semiconductor devices: integrated anti-parallel diode Mechanical mounting: screw |
на замовлення 7 шт: термін постачання 14-30 дні (днів) |
|
| VS-GT100DA120UF |
|
Виробник: Vishay Semiconductors
IGBT Modules 1200V, 100A IGBT SOT-227 Bplr Tnstr
IGBT Modules 1200V, 100A IGBT SOT-227 Bplr Tnstr
на замовлення 218 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 1+ | 2943.73 грн |
| 10+ | 2227.66 грн |
| VS-GT100DA120UF |
|
Виробник: VISHAY
Category: IGBT modules
Description: Module: IGBT; single transistor; Urmax: 1.2kV; Ic: 100A; SOT227B
Type of semiconductor module: IGBT
Semiconductor structure: single transistor
Max. off-state voltage: 1.2kV
Collector current: 100A
Case: SOT227B
Electrical mounting: screw
Gate-emitter voltage: ±20V
Pulsed collector current: 240A
Technology: Trench
Features of semiconductor devices: integrated anti-parallel diode
Mechanical mounting: screw
Category: IGBT modules
Description: Module: IGBT; single transistor; Urmax: 1.2kV; Ic: 100A; SOT227B
Type of semiconductor module: IGBT
Semiconductor structure: single transistor
Max. off-state voltage: 1.2kV
Collector current: 100A
Case: SOT227B
Electrical mounting: screw
Gate-emitter voltage: ±20V
Pulsed collector current: 240A
Technology: Trench
Features of semiconductor devices: integrated anti-parallel diode
Mechanical mounting: screw
на замовлення 7 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 1+ | 3434.57 грн |