VS-GT100DA120UF Vishay General Semiconductor - Diodes Division
Виробник: Vishay General Semiconductor - Diodes DivisionDescription: IGBT MOD 1200V 187A 890W SOT227
Packaging: Bulk
Package / Case: SOT-227-4, miniBLOC
Mounting Type: Chassis Mount
Input: Standard
Configuration: Single
Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ)
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.55V @ 15V, 100A
NTC Thermistor: No
Supplier Device Package: SOT-227
IGBT Type: Trench
Current - Collector (Ic) (Max): 187 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 1200 V
Power - Max: 890 W
Current - Collector Cutoff (Max): 100 µA
Input Capacitance (Cies) @ Vce: 6.15 nF @ 25 V
на замовлення 56 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 1+ | 3112.40 грн |
| 10+ | 2240.54 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис VS-GT100DA120UF Vishay General Semiconductor - Diodes Division
Description: VISHAY - VS-GT100DA120UF - IGBT-Modul, Einfach, Schalter, 187 A, 890 W, 150 °C, SOT-227, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Platte, rohsCompliant: YES, IGBT-Technologie: Trench-Transistor, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung: -, Dauer-Kollektorstrom: 187A, usEccn: EAR99, IGBT-Anschluss: Stiftbolzen, euEccn: NLR, Verlustleistung: 890W, Bauform - Transistor: SOT-227, Produktpalette: -, Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 1.2kV, IGBT-Konfiguration: Einfach, Schalter, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Betriebstemperatur, max.: 150°C, SVHC: To Be Advised.
Інші пропозиції VS-GT100DA120UF за ціною від 1995.60 грн до 5350.35 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна | ||||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 |
VS-GT100DA120UF | Виробник : VISHAY |
Description: VISHAY - VS-GT100DA120UF - IGBT-Modul, Einfach, Schalter, 187 A, 890 W, 150 °C, SOT-227 tariffCode: 85412900 Transistormontage: Platte rohsCompliant: YES IGBT-Technologie: Trench-Transistor hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung: - Dauer-Kollektorstrom: 187A usEccn: EAR99 IGBT-Anschluss: Stiftbolzen euEccn: NLR Verlustleistung: 890W Bauform - Transistor: SOT-227 Produktpalette: - Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 1.2kV IGBT-Konfiguration: Einfach, Schalter productTraceability: Yes-Date/Lot Code Betriebstemperatur, max.: 150°C SVHC: To Be Advised |
на замовлення 93 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||
 |
VS-GT100DA120UF | Виробник : Vishay Semiconductors |
IGBT Modules 1200V, 100A IGBT SOT-227 Bplr Tnstr |
на замовлення 247 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||||
 |
VS-GT100DA120UF | Виробник : VISHAY |
Category: IGBT modules Description: Module: IGBT; single transistor; Urmax: 1.2kV; Ic: 100A; SOT227B Mechanical mounting: screw Gate-emitter voltage: ±20V Collector current: 100A Pulsed collector current: 240A Max. off-state voltage: 1.2kV Case: SOT227B Semiconductor structure: single transistor Type of semiconductor module: IGBT Electrical mounting: screw Technology: Trench Features of semiconductor devices: integrated anti-parallel diode |
на замовлення 3 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||||
|
|
VS-GT100DA120UF | Виробник : VISHAY |
Category: IGBT modules Description: Module: IGBT; single transistor; Urmax: 1.2kV; Ic: 100A; SOT227B Mechanical mounting: screw Gate-emitter voltage: ±20V Collector current: 100A Pulsed collector current: 240A Max. off-state voltage: 1.2kV Case: SOT227B Semiconductor structure: single transistor Type of semiconductor module: IGBT Electrical mounting: screw Technology: Trench Features of semiconductor devices: integrated anti-parallel diode кількість в упаковці: 1 шт |
на замовлення 3 шт: термін постачання 7-14 дні (днів) |
|
||||||||||||
 |
VS-GT100DA120UF | Виробник : Vishay |
Trans IGBT Module N-CH 1200V 187A 890000mW 4-Pin SOT-227 |
товару немає в наявності |